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부지연 회로를 내장한 200MHz 고속 16M SDRAM
A 200MHz high speed 16M SDRAM with negative delay circuit

김창선    (LG반도체   ); 장성진    (LG반도체   ); 김태훈    (LG반도체   ); 이재구    (LG반도체   ); 박진석    (LG반도체   ); 정웅식    (LG반도체   ); 전영현    (LG반도체  );
  • 초록

    This paper shows a SDRAM opeating in 200MHz clock cycle which it use data interleave and pipelining for high speed operation. We proposed NdC (Negative DEaly circuit) to improve clock to access time(tAC) characteristics, also we proposed low power WL(wordline)driver circit and high efficiency VPP charge-pump circit. Our all circuits has been fabricated using 0.4um CMOS process, and the measured maximum speed is 200Mbytes/s in LvTTL interface.


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