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Co 두께가 $CoSi_2$ 에피박막 형성에 미치는 영향
Effects of Co Thickness on the Formation of Epitaxial CoSi2 Thin Film

김종렬    (수원대학교 전자재료공학과   ); 배규식    (수원대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    Effects of Co thickness on the formation of epitaxial $CoSi_2$ from the Co/Ti bilayer have been investigated. Ti and Co were sequentially deposited with the Ti thickness fixed at 5 or 10nm, while the Co thickness was varied from 5 to 30nm. The metal-deposited samples were then rapidly thermal-annealed in $N_2$ at $900^{\circ}C$ for 20 sec. Material properties of $CoSi_2$ thin films were analyzed by the 4-point probe, XRD, AES, andXTEM. When the as-deposited Co thickness was below 15nm, the $CoSi_2$ with high resistivity and rough interface was formed. On the other hand, when the Co thickness was above 15 nm, the epitaxial $CoSi_2$ with the resistivity of about 16 ~ 19 $\mu\Omega.cm$ , uniform composition and thickness and flat interface was formed. Initial Ti thickness has sizable effect on the formation of $CoSi_2$ , when the Co layer was very thin (~ 5 nm). But there was no significant effect of the Ti thickness for the initial Co thickness of above 15 nm.


 저자의 다른 논문

  • 김종렬 (2)

    1. 1994 "Co/Ti이중박막을 이용한 $CoSi_2$에피박막형성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (1): 81~89    
    2. 1995 "코발트/내열금속 이중박막을 이용한 $CoSi_{2}$ 에피박막형성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (3): 324~332    
  • 배규식 (33)

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