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BCl$_3$/SF6 gas chemistries에 의한 TiW막의 식각특성 연구
A Study on the Etching Characateristics of TiW Films using BCl$_3$/SF6/ gas chemistries

권광호    (한서대학교 정보공학과   ); 김창일    (안양대학교 전기공학과   ); 윤선진    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 김상기    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 백규하    (한국전자통신연구소 반도체연구단   ); 남기수    (한국전자통신연구소 반도체연구단  );
  • 초록

    The surface properties after plasma etching of TiW alloy using the chemistries of BCl $_{3}$ and SF $_{6}$ gases with varying mixing ratio have been investigated using XPS(X-ray photoelectron spectrocopy). The elements existed on the etched sampled have been extracted with BCL $_{3}$ /SF $_{6}$ ratio and their chemical binding states have also been analysed. It was confirmed that the thickness of native oxide formed on the TiW films is thinner than 10nm by using Ar sputtering. At the same time, the roughness of etched surface has been esamnied using AFM (atomic force microscopy). on the basis of the basis of this results, the relations between the caanges of oxygen contents detected by XPS and the rouhness of etched surface have been discussed. And the etch rate and etched profile of Tiw films have been examined and the changes of the etch rate and etched prfile have been discussed with XPS results. From XPS results, the role of passivation layer consisted of Ti-S compound with XPS results. From XPS results, the role of passivation layer consisted of Ti-S compound has been proposed. Ti-S compound seems to make a role of passivation layer that surpresses Ti-O formation.ion.


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  • 김상기 (27)

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