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10-Gb/s 광통신시스템을 위한 GaAs HBT IC의 설계 및 제작
Design and fabrication of GaAs HBT ICs for 10-Gb/s optical communication system

박성호    (한국전자통신연구원 화합물반도체연구부   ); 이태우    (한국전자통신연구원 화합물반도체연구부   ); 김영석    (충북대학교 전지전자공학부   ); 기현철    (경원대학교 전자공학과   ); 송기문    (건국대학교 응용물리학과   ); 박문평    (한국전자통신연구원 화합물반도체연구부   ); 평광위    (한국전자통신연구원 화합물반도체연구부  );
  • 초록

    Design and performance of principal four ICs for the 10-Gb/s optical communication system are presented. AlGaAs/GaAs HBTs are basic devices to implement a laser diode driver, apre-amplifier, and a limiting amplifier, and GaInP/GaAs HBTs are used for an AGC amplifier. We fbricated 11.5-GHz LD driver, a pre-amplifier, and a limiting amplifier, an dGaInP/GaAs HBTs are used for an AGC amplifier. We fabricated LD deriver, 10.5 GHz pre amplifier, 7.2 GHz AGC amplifier, and 10.3 GHz limiting amplifier, optimized circuit design and the stabilized MMIC fabrication process.


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    1. 1994 "AlGaAs/GaAs HBT의 제작과 특성연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (9): 104~113    
    2. 1995 "에미터와 베이스의 기하구조가 AlGaAs/GaAs HBT의 전기적 특성에 미치는 영향" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (2): 57~65    
    3. 1997 "A 10-Gbit/s Limiting Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs" Journal of electrical engineering and information science 2 (6): 197~201    
    4. 1998 "DC - 18GHz의 광대역 레이저 구동회로 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (1): 34~40    
    5. 1998 "n형 InGaAs에 형성된 Pd/Ge계 오믹 접촉 특성에 미치는 급속 열처리 온도의 영향" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 7 (1): 24~28    
  • 이태우 (3)

  • 김영석 (28)

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