본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

0.5$\mu\textrm{m}$-GaAs MESFET을 이용한 X-밴드 모노리식 직렬 궤환 LNA의 설계 및 특성
Design and Characteristics of X-band Monolitic Series Feedback LNA using 0.5$\mu\textrm{m}$GaAs MESFET

전영진    (포항공과대학교 전자전기공학과   ); 김진명    (포항공과대학교 전자전기공학과   ); 정윤하    (포항공과대학교 전자전기공학과  );
  • 초록

    A X-band 3-stage monolithic LNA (low noise amplifier) with series feedback has been successfully desined and demonstrated by suign 0.5- $\mu\textrm{m}$ GaAs MESFET. In the design of the 3-stage LNA, the effects of series feedback to the noise figure, the gain, and the stability have been investigated ot find the optimal short stub length. As a result, the inductive series feedback topology which has 10degree short stub in the GaAs MESFET source lead, has been employed in the 1-st stage. The fabricated MMIC LNA's chip size is only 1mm $^{2}$ /stage, which is smaller than the previously reported X-band MMIC input/output return losses are less than -10dB and -15dB, respectively. The noise figure (NF) is less than 2.6dB. The measured data show good agreement with the simulated values.


 저자의 다른 논문

  • 정윤하 (4)

    1. 1994 "유화처리와 광CVD법 질화인막을 이용한 GaAs MISFET 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (9): 72~77    
    2. 1999 "GaAs MESFET의 소오스 및 부하 임피던스가 선형성에 미치는 영향" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 10 (5): 663~671    
    3. 2002 "부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력FET의 선형성 증가" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 39 (1): 83~88    

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기