본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

매우 낮은 암전류를 가지는 schottky barrier enhanced InAlAs/InGaAs metal semiconductor metal 광다이오드
InAlAs/InGaAs schottky barrier enhanced metal semiconductor metal photodiode with very low dark current

김정배    (서울대학교 공과대학 전기공학부   ); 김문정    (서울대학교 공과대학 전기공학부   ); 김성준    (서울대학교 공과대학 전기공학부  );
  • 초록

    In this paper we report the fabrication of an InGaAs metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode(PD) which an InAlAs barrier enhancement layer that has very low dark current and high speed chracteristics. The detector using Cr/Au schottky metal fingers with 4um spacing on a large active area of 300*300um $^{2}$ offers a low dark current of 38nA at 10V, a low capacitance of 0.8pF, and a high 3-dB bandwidth of 2.4 GHz. To our knowledge, these characteristics are better than any previously published results obtained from large area InGaAs MSM PD's. The RC equivalent model and frequency domain current response model considering transit time were also used to analyze the frequency characteristic of the fabricated device.


 저자의 다른 논문

  • 김문정 (1)

    1. 1995 "최적의 감도를 얻을 수 있는 p-i-n/HBT OEIC 광수신단의 새로운 설계방법" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a32 (11): 79~85    
  • Kim, Seong-Joon (26)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기