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텅스텐 폴리사이드를 이용한 게이트 산화막의 절연특성 개선에 관한연구
A study on the dielectric characteristics improvement of gate oxide using tungsten policide

엄금용   (성남기능대학 생산자동화학과UU0000760  ); 오환술   (건국대학교 전자공학과UU0000050  );
  • 초록

    Tungsten poycide has studied gate oxide reliability and dielectric strength charactristics as the composition of gate electrode which applied submicron on CMOS and MOS device for optimizing gate electrode resistivity. The gate oxide reliability has been tested using the TDDB(time dependent dielectric breakdwon) and SCTDDB (stepped current TDDB) and corelation between polysilicon and WSi $_{2}$ layer. iN the case of high intrinsic reliability and good breakdown chracteristics on polysilicon, confirmed that tungsten polycide layer is a better reliabilify properities than polysilicon layer. Also, hole trap is detected on the polysilicon structure meanwhile electron trap is detected on polycide structure. In the case of electron trap, the WSi $_{2}$ layer is larger interface trap genration than polysilicon on large POCL $_{3}$ doping time and high POCL $_{3}$ doping temperature condition. WSi $_{2}$ layer's leakage current is less than 1 order and dielectric strength is a larger than 2MV/cm.


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    1. 2000 "STI를 이용한 서브 0.1$\mu\textrm{m}$VLSI CMOS 소자에서의 초박막게이트산화막의 박막개선에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 13 (9): 729~734    
    2. 2002 "새로운 티타늅 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0,1$\mu\textrm{m}$ ULSI급 소자의 특성연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 39 (5): 1~7    
  • 오환술 (41)

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