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AlGaAs/GaAs HBT를 사용한 10Gbit/s 리미팅증폭기
10Gbit/s AlGaAs/GaAs HBT limiting amplifier

곽봉신    (한국전자통신연구원 광통신연구실   ); 박문수    (한국전자통신연구원 광통신연구실  );
  • 초록

    A 10Gbit/s limiting amplifier IC for optical transmission system was implemented with AlGaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) technology. HBTs with 2x10.mu. $m^{2}$ and 6x20.mu. $m^{2}$ emitter size were used. The HBT structures are based on metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) epitxy and employ a mesa structure with self-aligned emitter/base and sidewall dielectric passivation. IC was designed to support differnetial input and output. Small signal performance of the packaged IC showed 26dB gain and $f_{3dB}$ of 8GHz. A single ouput has 800m $V_{p-p}$ swing with more than 26dB dynamic range. The performance of the limiting amplifier was verified through single mode fiber320km transmission link test.est.


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  • 곽봉신 (1)

    1. 1997 "10 Gb/s 급 광통신용 1.55$\mu$m SI-PBH DFB-LD의 제작 및 특성연구" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics 8 (4): 327~332    
  • 박문수 (4)

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