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범프 본딩된 압저항 실리콘 가속도센서의 제조
Fabriaction of bump bounded piezoresistive silicon accelerometer

심준환    (경북대학교 전자,전기공학부   ); 이상호    (경북대학교 전자,전기공학부   ); 이종현    (경북대학교 전자,전기공학부  );
  • 초록

    Bump bonded piezoesistive silicon accelerometer was fabricated by the porous silicon micromachining and th eprocess technique of integrated circuit. The output voltage of the accelerometer fabricated on (111)-oreiented Si substrates with n/n $^{+}$ n triple layers showed good linear characteristic of less than 1%. The measured sensitivity and the resonant frequency was about 743 .mu.V/g and 2.04 kHz, respectively. And the transverse sensitivity of 5.2% was measured from the accelerometer. Also, to investigate an influence on the output characteristics of the sensor due to bump bonding, the values of the piezoresistors were measured through thermal-cycling test in the temperature variation form -50 to 120.deg. C. Then, there was 0.014% resistance changes about 3.61 k.ohm., so sthe output charcteristics of the sensor was less affected by bump bonding.g.


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    3. 1992 "HF 양극반응을 이용한 단결정 실리콘 미세구조의 제조" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 1 (1): 183~194    
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    10. 1996 "스트레스균형이 이루어진 멤버레인 및 박막 열전대를 응용한 유체센서" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 5 (6): 51~59    

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