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分子線에피택셜 方法으로 成長한 I $n_{0.53}$GaTEX>$_{0.47}$As/InTEX>$_{0.52}$AlTEX>$_{0.48}$As/InP P-HEMT 構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究
A study on the V and X shpe defects in I $n_{0.53}$GaTEX>$_{0.47}$As/InTEX>$_{0.52}$AlTEX>$_{0.48}$As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method

이해권    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 홍상기    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 김상기    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 노동원    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 이재진    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 편광의    (한국전자통신연구원 반도체연구단   ); 박형무    (한국전자통신연구원 반도체연구단  );
  • 초록

    I $n_{0.53}$ G $a_{0.47}$ As/I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As pseudomorphic high electron mobility transistor (P-HEMT) structures were grown on semi-insulating InP substrates by molecular beam epitzxy method. The hall effect measuremetn was used to measure the electrical properties and the photoluminescence (PL) measurement was used to measure the electrical properties and the photoluminescence(PL) measurement for optical propety. By the cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) investigation of the V and X shape defects including slip with angle of 60.deg. C and 120.deg. C to surface in the sampel, the defects formation mecahnism in the I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As epilayers on InP substrates could be explained with the different thermal expansion coefficients between I $n_{0.52}$ A $l_{0.48}$ As epilayers and InP substrate.d InP substrate.


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  • 이해권 (7)

    1. 1991 "절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작" 전자통신 13 (4): 10~24    
    2. 1992 "$Al_xGa_{l-x}As/AlAs/GaAs$계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조에서의 광 luminescsnce 특성 연구" 한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics 3 (3): 183~190    
    3. 1994 "LSI급 소자 제작을 위한 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (7): 76~84    
    4. 1994 "AlGaAs/GaAs HBT의 제작과 특성연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (9): 104~113    
    5. 1994 "GaAs/AlGaAs HEMT소자의 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (9): 114~120    
    6. 1994 "900MHz 대역 4.7 V 동작 전력소자 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (10): 71~78    
    7. 1995 "MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 4 (2): 177~182    
  • 홍상기 (1)

  • 김상기 (27)

  • 이재진 (10)

  • 편광의 (10)

  • 박형무 (21)

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