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Oxygen 이온 주입의 전기적 고립을 통한 평면형 다중 양자 우물 구조의 애벌런치 & pn 및 p - i- n광 다이오드의 제작 및 전기적 특성
The Fabrication and Electrical Characteristics of Planar Multi-Quantum well (MQW) Avalanche, MQW-pn, and p-i-n Photodiode Implantd with Oxygen for Electrical Isolation

시상기    (서울대학교 전기공학부   ); 김성준    (서울대학교 전기공학부  );
  • 초록

    The dependence of the electrical properties in planar MQW - APD & pn, and p - i - n photodiode implanted with oxygen on the annealing emperatures and ion dose has been investigated. The oxygen implantation was performed for inter-device isolation. The leakage current of as-impanted p-i-n photodiode obtained was less than 50 nA. An annelaing temperature dependence study shows an abrupt increase of leakge current at 600.deg.C for all devices under study. This indicates that donor complex centers introduced by the chemical activity of oxygen increase with increasing annelaing temperatures. Furthermore, leakage current was highly correlated with oxygen dose due to th eimplanted related defects.


 저자의 다른 논문

  • 시상기 (2)

    1. 1996 "MOCVD법으로 성장시킨 InGaAs 내에서 Zinc의 확산특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (5): 483~488    
    2. 1997 "Oxygen이 주입된 $p^+$-InGaAs층에서의 compensation 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 6 (4): 343~347    
  • Kim, Seong-Joon (26)

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