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ITO/InP 태양전지 제작에 응용된 sulfur passivation의 효과
The effects of sulfur passivation on the performance of ITO/InP solar cells

이영철    (영남대학교 공과대학 전기,전자 공학부   ); 한교용    (영남대학교 공과대학 전기,전자 공학부  );
  • 초록

    In order to improve the electrical performance of ITO/InP solar cells, sulfur passivation technique was employed using (N $H_{4}$ ) $_{2}$ $S_{x}$ solution. Passivation effects were analyzed by measuring the short circuit current density ( $J_{sc}$ ) of solar cells and photoluminescence (PL) of ITO/InP interfaces. This paper firstly reports the sulfur passivation effects by investigating the correlation between the PL intensity and the short circuit current. Generally, PL intensity and the short circuit current of sulfur passivated sampels wer eincreased, and showed the same trend. Especially, samples prepared at 60.deg. C (N $H_{4}$ ) $_{2}$ $S_{x}$ solution exhibited the highest $J_{sc}$ and PL intensity. These results demonstrated that the short circuit currents was influenced by the ITO/InP interface states.


 저자의 다른 논문

  • 이영철 (1)

    1. 1998 "H$_{2}$S 플라즈마 passivation 방법을 응용한 ITO/InP 위성용 태양전지의 제작" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (1): 59~65    
  • 한교용 (7)

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