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Flash EEPROM의 two-step 프로그램 특성 분석
Analysis of Two-step programming characteristics of the flash EEPROM's

이재호    (충북대학교 반도체과학과   ); 김병일    (충북대학교 반도체과학과   ); 박근형    (충북대학교 반도체과학과   ); 김남수    (충북대학교 전기전자공학부   ); 이형규    (충북대학교 전기전자공학부  );
  • 초록

    There generally exists a large variation in the thereshold voltages of the flash EEPROM cells after they are erased by using th fowler-nordheim tunneling, thereby getting some cells to be overeased. If the overerased cells are programmed with the conventional one-step programming scheme where an 12-13V pulse with the duration of 100.mu.S is applie don the control gate for the programming, they can suffer from the significant degradation of the reliability of the gate oxide. A two-step programming schem, where an 8/12 V pulse with a duration of 50.mu.S for each voltage is applied on the control gate for the programming, has been studied to solve the problem. The experimental results hav eshown that there is little difference in the programming characteristics between those two schemes, whereas the degradation of the gate oxide due to the programming can be significantly reduced with the two-step programming scheme compared to that with the one-step programming scheme. This is possibly because the positive charge stored in the floating gate of the overerased cells is compensate dwith the electrons injected into the floating gate while the 8V pulse is applied on the control gate, which leaves the overerased cells in the normally erased state after the duration of the 8V pulse.


 저자의 다른 논문

  • 이재호 (1)

    1. 1999 "Flash EEPROM에서 부유게이트의 도핑 농도가 소거 특성에 미치는 영향" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d36 (11): 56~62    
  • 박근형 (17)

  • Kim, Nam-Soo (21)

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