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광소자용 미소렌즈 제작을 위한 GaAs/AlGaAs계 액상식각 및 에피택시
LPE meltaback-etch and re-epitaxy of GaAs/AlGaAs for optical micro-lenses fabrication

함성호    (충북대학교 센서기술연구소   ); 권영세    (한국과학기술원 전기 및 전자공학과  );
  • 초록

    A new etching technique of meltback was investigated for GaAs lensed optical devices with selective windows opending in the LPE (liquid phase epitaxy) system. In the meltback process, the etch depth and the etch shape were controlled by the degree of under-saturation, etch time and other parameters. A GaAs/AlGaAs DH layer was grown on the selectively etched hemispherical well for optical device application such as lensed surface emitting LED. The regrowth process were related with the coolin grate and the well to well spacing. A novel surface emitting LED with hemispherical AlGaAs lens was fabricated using the meltbakc and regrowth as the key process for AlaAs lens array. The light emitting efficiency of the LED was upto three times higher than the similar structure LED without lens. The meltback and regrowth technique was applicable to manufacture the optical device in LPE.


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    5. 1984 "광통신용 반도체 소자의 제작기술" 電子工學會雜誌 = KIEE review 11 (3): 21~24    
    6. 1985 "초고속 화합물 반도체 소자의 최근 기술동향 (HEMT 와 H.B.T.를 중신으로)" 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 34 (6): 360~365    
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    9. 1990 "GaAs 반도체 기술동향" 電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers 17 (4): 30~39    
    10. 1993 "$CCI_4$ 를 사용하여 베이스를 탄소도핑한 AlGaAs/GaAs HBT의 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a30 (12): 51~59    

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