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핫 캐리어에 의한 GaAs HBT의 새로운 열화 메카니즘
New degradation mechanism of GaAs HBT induced by Hot carriers

권재훈    (동아대학교 전자공학과   ); 김도현    (동아대학교 전자공학과   ); 송정근    (동아대학교 전자공학과  );
  • 초록

    AlGaAs/GaAs HBTs are developed well enough to be commercialized as an active device in optical transmission system, but there remains the unanswered questions about reliability. In this paper we applied the reverse constant current stress at the high voltage in avalanche region for a long time to find out a new degradation mechanism of junctrion I-V. The unction off-set voltage at which the current vanishes to zero was shifted to the negative direction of applied bias due to the increment of leakage current as the stress time increases. It was identified that the degradation was induced by the hot carriers which were generated at space charge region and trapped at the interface between GaAs base and the passivation nitride enhancing the electric field across the nesa edge.


 저자의 다른 논문

  • 김도현 (1)

    1. 1998 "베이스 표면재결합상태의 불안정에 의한 GaAs HBT의 열화" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (3): 11~17    
  • 송정근 (25)

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