본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

금속유기 화학증착법으로 증착시킨 $RuO_2$박막의 성장에 미치는 증착온도와 산소의 영향
Effect of Deposition Temperature and Oxygen on the Growth of $RuO_2$ Thin Films Deposited by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

신웅철    (충남대학교 재료공학과 전자요업연구실   ); 윤순길    (충남대학교 재료공학과 전자요업연구실  );
  • 초록

    RuO2 박막은 SiO2(1000 $\AA$ )Si와 MgO(100) 단결정 위에 낮은 증착온도에서 hot-wall MOCVD법으로 증착시켰다. 그리고 박막의 특성에 미치는 공정변수의 영향을 고찰하였다. 25 $0^{\circ}C$ 의 비교적 낮은 온도에서부터 RuO2의 단일상을 얻었으며 SiO2(1000 $\AA$ )Si위에 증착된 RuO2박막은 무질서한 배향을 보이는 반면 MgO(100)단결정 위에 증착시킨 RuO2박막의 경우에는 (hk0) 배향성을 보이는 것을 관찰하였다. 증착온도가 증가함에 따라 RuO2박막의 결정성은 증가하였고 전기적 비저항은 감소하였다. O2유량이 감소함에 따라 RuO2박막의 비저항은 감소하였으며, 증착온도 35 $0^{\circ}C$ , O2 유량 50sccm에서 증착된 두께 2600 $\AA$ -RuO2박막의 비저항은 52.7 $\mu$ $\Omega$ -cm이었으며 이는 고 유전물질의 하부전극으로 이용하기에 적합하다.


    RuO2 thin films were deposited on SiO2(1000 $\AA$ )/Si and MgO(100) single crystal substrates at low tem-peratures by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD), and effects of deposition paramet-ers on the properties of the thin films were investigated. RuO2 single phase was obtained at lower de-position temperature of 25 $0^{\circ}C$ . RuO2 thin films deposited onto SiO2(1000 $\AA$ )/Si substrates showed a random orientation, and RuO2 films onto MgO(100) single crystals showed the (hk0) orientation. The crystallinity and resistivity of RuO2 thin films increased and decreased with increasing deposition temperature, respec-tively. The resistivity of RuO2 thin films decreased with decreasing the flow rate. The resistivity of the 2600 $\AA$ -thick RuO2 thin films deposited with O2 flow rate of 50 sccm at 35 $0^{\circ}C$ was 52.7 $\mu$ $\Omega$ -cm, and they could be applicable to bottom electrodes of high dielectric materals.


  • 주제어

    MOCVD .   $RuO_2$ .   Resistivity.  

  • 참고문헌 (14)

    1. Preparation and Properties of Ru and RuO₂Thin Film Electrodes for Ferroelectric Thin Films , Hiroshi Maiwa;Noboru Ichinose;Kiyoshi Okazaki , Jpn. J. Appl. Phys. / v.33,pp.5223,
    2. Effect of oxygen on the electrical transfort in RuO₂ , L. Kruisn-Elbaum , Thin Solid Films / v.169,pp.,
    3. Hot-Wall MOCVD에 의한 RuO₂박막의 특성 , W. C. Shin;S. G. Yoon , J. Kor. Cer. Soc. / v.33,pp.969,
    4. Characteristics of rapidly thermally annealed RuO₂films on SiO₂ , T. S. Kalkur;Y. C. Lu , Thin Solid Films / v.205,pp.266,
    5. Chemical Vapor Deposition of Ruthenium and Ruhenium Dioxide Films , M. L. Green;M. E. Gross;L. E. Papa;K. J. Schnoes;D. Brasen , J. Electrochem. Soc. / v.132,pp.2677,
    6. Contribution of electrodes and microstructrures to the electrical properties of Pb(Zr$_0.53Ti_0.47)O₃$thin film capacitors , H. N. Al-shareef;A. I. Kingon; X. Chen;K. R. Bellur;O. Auciello , J. Mater, Res. / v.9,pp.2968,
    7. Conducting Transition Metal Oxides: Possibilities for RuO₂in VLSI Metallization , L. Krusin-Elbaum;M. Wittmer , J. Electrochem. Soc. / v.135,pp.2610,
    8. Characterization of RuO₂Thin Films Prepared by Hot-Wall Metalorganic Chemical Vapor Deposition , W. C. Shim;S. G. Yoon , J. Electro chem. Soc. / v.144,pp.1055,
    9. Deposition and Properties of Reactively Sputtered Ruthenium Dioxide Films , Keizo Sakiyama;Sigeo Onishi;Kazuya Ishihara;Kunihiko Orita , J. Electrochem. Soc. / v.140,pp.834,
    10. Comparison of lead zirconate titanate thin films on ruthenium oxide and platinium electrides , L. A. Bursil;I. M. Reaney;D. P. Vijay;S. B. Desu , J. Appl. Phys. / v.75,pp.1521,
    11. Investigation of Pt Bottom Electrodes for In-Situ Deposited Pb(Zr,Ti)-O₃(PZT) Thin Films , R. Bruchhaus;D. Pitzer;W. Hoesler , MRS Symp. Proc. / v.243,pp.,
    12. RuO₂films by metal-organic chemical vapor deposition , Jie Si;S. B. Desu , J. Mater. Res. / v.8,pp.2644,
    13. Bottom Electrodes for Ferroelectric Thin films , H. N. Al-shareef;K. D. Gifford;P. D. Hern;S. H. Rou;O. Auucillo;A. I Kingon , Integrated Ferroelectrics / v.3,pp.,
    14. Polycrystalline La05Sr05CoO₃/PbZr05₃Ti0₄7O₃/La$_{0.5}Sr_{0.5}$CoO₃/PbZr$_{0.53}Ti_{0.47}O_3/La_{0.5}Sr_{0.5}$CoO₃ferroelectric capacitors on platinized silicon with no polarization fatigue , R. Dat;D.J. Lichtenwalner;O. Auciello;A. I. Kingon , Appl. Phys. Lett. / v.64,pp.2673,

 저자의 다른 논문

  • 윤순길 (56)

    1. 1994 "Laser Ablation에 의한 $(Ba_{0.5}, Sr_{0.5}) Tio_3$박막의 제조와 전극에 따른 전기적 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (4): 401~405    
    2. 1994 "플라즈마 화학 증착법에 의한 $Y_2O_3-StabilzedZrO_2$박막의 제조와 Capacitance-Voltage특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (5): 510~515    
    3. 1995 "유기 금속 화학 증착법에 의한 $(Ba_{1-x},\;Sr_x)TiO_3$ 박막의 제조 및 전기적 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (7): 816~819    
    4. 1996 "PE-MOCVD에 의한 $SrTiO_3$ 박막의 제조 및 전기적 특성에 관한 평가" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 33 (2): 177~182    
    5. 1996 "Hot-wall MOCVD에 의한 $RuO_2$ 박막의 특성" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 33 (9): 969~976    
    6. 1996 "강 유전체 박막을 위한 하부전극 MOCVD-pt 박막의 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (12): 1263~1269    
    7. 1997 "RF magnetron sputtering으로 제조된 강 유전체 $SrBi_2Ta_2O_9$ 박막의 열처리 온도에 따른 특성 연구" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 34 (2): 202~208    
    8. 1997 "플라즈마를 이용한 유기금속 화학증착법에 의한 강 유전체 $\textrm{SrBi}_{2}\textrm{Ta}_{2}\textrm{O}_{9}$ 박막의 제조" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 (2): 107~113    
    9. 1997 "PEMOCVD에 의한 강 유전체 $\textrm{SrBi}_{2}\textrm{Ta}_{2}\textrm{O}_{9}$박막의 제조 및 증착온도 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 (5): 381~385    
    10. 1997 "RF magnetron sputtering법에 의해 제조된 $\textrm{SrBi}_{2}\textrm{Ta}_{2}\textrm{O}_{9}$박막의 강유전 특성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 (6): 505~509    

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
  • 한국세라믹학회 : 저널
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기