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Thin Oxide 불량에 미치는 Czochralski Si 웨이퍼의 미소결함의 영향
The Effect of the Microdefects in Czoscralski Si wafer on Thin Oxide Failures

박진성    (조선대학교 재료공학과   ); 이우선    (조선대학교 전기공학과   ); 김갑식    (영흥개발 부설 연구소   ); 문종하    (전남대학교 무기재료공학과   ); 이은구    (조선대학교 재료공학과  );
  • 초록

    The cross sectional image of thin oxide failure of MOS device could be observed by Emission Microscope and Focused Ion Beam at the weak point. The oxide failures in low electric field was associated with the presence of a particle or abnormal pattern. The failures occuring at medium field are related to a pit of Si substrate. The pits could be originated from the microdefects of Cz Si wafer.


  • 주제어

    Cz wafer .   Thin Oxide .   Failure Analysis .   Si microdefect.  

  • 참고문헌 (6)

    1. The Use of Light Emission in Failure Analysis of CMOS ICs , C.F. Hawkins;J.M.Sonde;E. I. Cole Jr.;E.S.Snyder , Proc. Int. Symp. Testing and Failure Analysis / v.,pp.55-59,
    2. Effect of SC1 process on Silicon Surface Microroughness and Oxide Breakdown Characteristics , K. Akiyama;N.Naito;M.Nagamori;H.Koya;E.Morita;K.Sassa;H. Suga , Jpn. J. Appl. Phys. / v.34,pp.L153-L155,
    3. Degradation of Gate Oxide Integrity by Metal Impurity , K.Hiyamoto;M. Sano;S. Sadamitsu;N. Fujino , Jpn. J. Appl. Phys. / v.28,pp.L2109-L2111,
    4. Electrical Properties of Ultrathin Silicon Oxide Films , A. Ishitani;M.Tsukiju;E.Hasegawa;A. Oshiyama , 10th Workshop on ULSI Ultra Clean Technology / v.,pp.33-51,
    5. Failure Analysis of Thin Oxide by EMMI and FIB , J.S.Park;E.G.Lee;H.G.Lee;S.W.Lee , kor. J. Materials Research / v.6,pp.605-609,
         
    6. Thin Oxide Reliability , C. Hu , Tech. Dig. of IEDM / v.,pp.363-371,

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  • 박진성 (51)

    1. 1993 "WSi2/CVD-Si/SiO2 구조의 게이트 전극 특성" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 30 (1): 55~61    
    2. 1993 "Ti-Ploycide 게이트에서 게이트산화막의 전연파괴특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 3 (6): 638~644    
    3. 1994 "실리콘의 이중증착에 의한 산화막 신뢰성 향상" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 31 (1): 74~78    
    4. 1994 "CuZnAI형상기억합금의 변태온도에 미치는 열사이클 및 기계적성질 변화" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (5): 524~534    
    5. 1994 "습식 산화한 LPCVD Silicon Nitride층의 물리적, 전기적 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (6): 662~668    
    6. 1995 "Furnace로 $N_2O$ 분위기에서 성장시킨 Oxynitride 절연막 특성" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 32 (1): 31~36    
    7. 1995 "Furnace의 $N_2O$ 분위기에서 성장시킨 Oxynitride MOS 캐패시터 특성" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 32 (11): 1241~1245    
    8. 1995 "저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (2): 197~202    
    9. 1996 "소결첨가제와 분위기가 $Pb_{0.98}Cd_{0.02}Zr_{0.36}Ti_{0.39}Ni_{0.083}Nb_{0.167}O_3$의 소결 및 압전 특성에 미치는 영향" 요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society 33 (11): 1260~1266    
    10. 1996 "CVD증착에 의한 인버티드 스태거형 TFT의 전압 전류 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 (10): 1008~1012    
  • 이우선 (71)

  • Moon, Jong Ha (33)

  • 이은구 (44)

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