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다공질 규소의 라만 산란
Raman scattering in porous silicon

조창호   (배재대학교 물리학과UU0000576  ); 김태균   (배재대학교 물리학과UU0000576  ); 서영석   (배재대학교 물리학과UU0000576  ); 나훈균   (기초과학지원연구소CC0186840  ); 김영유   (공주대학교 물리학과UU0000178  );
  • 초록

    양극반응 전류밀도를 변화시키면서 다공질 규소를 제작하여 라만산란을 관측하였다. 전류밀도가 증가함에 따라 라만신호는 520.5 $\textrm{cm}^{-1}$ 에서 멀어졌으며, 봉우리의 반치폭이 증가하였다. 또한 전류밀도 증가에 따라 원통형 다공질 결정의 직경은 감소함이 계산되었으며, 길이가 길어짐을 AFM으로 관찰하였다.


    The Raman scattering was studied from the porous silicons which were made by changing anodization current. As the current density was increased, it was observed that Raman was gradually far from the value of 520.5 $\textrm{cm}^{-1}$ and the full width half maximum increased. The decrease of radius of cylindrical porous crystal was calculated and the increase of its length was investigated through AFM.


  • 참고문헌 (18)

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