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실리콘 단결정내의 grown-in 결함 분포에 관한 고찰
Investigation of growth-in defects distribution in Si single crystal

이보영   (LG 실트론 연구소CC0175965  ); 황돈하   (LG실트론 연구소CC0175965  ); 유학도   (LG실트론 연구소CC0175965  ); 권오종   (경북대학교 금속공학도UU0000096  );
  • 초록

    초크랄스키로 성장한 Si 단결정에서 결정 성장 속도를 달리한 sample을 이용하여 COP, FPD 및 LSTD등의 grown-in 결함 밀도와 한 웨이퍼 내에서의 분포를 정확하게 측정하여 이들 결함들간의 상호 관계를 고찰하였다. 이들 결함의 밀도와 한 웨이퍼 내에 발생하는 영역의 크기는 결정 성장 속도가 빠를수록 증가하였다. 또한 한 웨이퍼 내에서 이들 결함의 발생 영역이 일치하는 것으로 보아 이들 결함은 동일한 origin에 의해 생성된 것으로 판단된다.


    The relationship of growth-in defects such as crystal originated particles (COP), flow pattern defects(FPD), laser scattering tomography defects (LSTD) was investigated in Cz-Si single crystals which had different pulling speed during crystal growing. It is concluded that the density and radial distribution of grown-in defects is strongly dependent on the pulling speed. And as the generation areas of these grown-in defects in a wafer are identical in radial position, they can be generated from same origin during crystal growing.


  • 참고문헌 (13)

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    1. 1999 "실리콘 웨이퍼에서의 산소석출 거동 해석" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 9 (1): 84~88    
    2. 2000 "RTA를 이용하여 수소 열처리한 실리콘 웨이퍼의 표면 및 근처의 변화 연구" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 10 (1): 42~47    
    3. 2000 "에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면 근처에서의 금속 분순물의 정량" 대한화학회지 = Journal of the Korean Chemical Society 44 (3): 200~206    
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