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마이크로웨이브 magnetron sputtering법으로 제막된 ZnO:Al 박막의 전기광학적 특성
Electrical and optical properties of ZnO:Al thin films prepared by microwave magnetron sputtering

유병석   (한양대학교 무기재료공학과UU0001519  ); 오근호   (한양대학교 무기재료공학과UU0001519  );
  • 초록

    마이크로 웨이브를 보조 여기원으로 사용한 직류 magnetron 스퍼터링법으로 Aluminum이 2wt% 포함되어 있는 Zn:Al 합금타겟을 사용하여 AZO(Aluminum doped zinc oxide) 투명 전도막을 제막하였고 그 영향을 조사하였다. 타겟인가 전압이 420V에서 증착된 막의 투과율, 비저항 그리고 증착속도는 각각 50~70%, $5.5{\times}10^{-3}{\Omega}$ cm 그리고 6,000 $\AA\textrm{mm}^2$ /J 이었다. 이 막을 40 $0^{\circ}C$ 에서 30분간의 열처리하면 광투과율은 80% 이상으로 열처리전에 비해 향상되었으며 전도도는 2배 이상 향상되어 비저항값이 $2.0{\times}10^{-3}{\Omega}$ cm인 막을 얻을 수 있었다.


    AZO transparent conducting thin film were fabricated by DC magnetron sputtering using the Zn: Al (2% aluminu contained ) alloy target with inducing microwave to the plasma, and the effect of microwave was studied. The optical transmittance, the resistivity and dynamic deposition rate at the applied voltage to target of 420 V was 50~70%, $ 5.5{\times}10^{-3}{\Omega}$ cm and 6,000 $\AA\textrm{mm}^2$ /J, respectively. After annealing AZO coated glass at $400^{\circ}C$ for 30 minutes, the light transmittance was increased to 80% and electrical conductivity was also increased two times, reached to resistivity of $2.0{\times}10^{-3}{\Omega}$ cm.


  • 참고문헌 (13)

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 저자의 다른 논문

  • 유병석 (1)

    1. 1998 "직류 반응성 sputtering법으로 제막된 ZnO:Al 박막의 물성에 미치는 증착조건 및 타겟의 영향" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 8 (4): 592~598    
  • 오근호 (157)

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