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Noble SOI

정주영   (수원대학교 전기전자공학부UU0000815  );
  • 초록

    SOI 구조의 MOSFET은 제조공정이 상대적으로 간단하며 CMOS 래치 업 현상이 일어나지 않고, soft error에 의한 회로의 오동작 가능성이 매우 낮은 이외에도 낮은 기생 정전용량 및 누설전류 특성을 가지므로 0.1 미크론 이하의 소자를 제작하는데 적합하여 저전압, 초고속 VLSI 설계에 적합한 소자로 각광받고 있다. 본고에서는 새로운 구조의 SOI MOSFET 구조들의 특성과 장, 단점을 검토하고 나아가 BJT(Bipolar Junction Transistor) 및 기타 소자들을 SOI 구조로 제작한 결과에 대해 간단히 검토함으로써 1999년 현재 SOI 기술의 현황을 소개하고자 한다.


 저자의 다른 논문

  • 정주영 (19)

    1. 1996 "NMOSFET에서 LDD 영역의 전자 이동도 해석" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (10): 123~129    
    2. 1997 "Experimental Characterization-Based Signal Integrity Verification of Sub-Micron VLSI Interconnects" Journal of electrical engineering and information science 2 (5): 17~26    
    3. 1998 "CMOS 집적회로에서 스위칭 노이즈에 의한 신호선의 전압변동 해석 및 모델링" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. C c35 (7): 11~19    
    4. 2002 "pdp 시스템의 EMI 예측을 위한 회로모델링 및 실험적 검정" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 39 (2): 39~45    
    5. 2002 "플라즈마 디스플레이 시스템 성능 향상 기술 동향" 인포메이션 디스플레이 = Information display 3 (3): 30~35    
    6. 2003 "NMOSFET으로 구성된 AC PDP 스캔 구동 집적회로의 동작" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 40 (7): 474~480    
    7. 2004 "동영상 의사윤곽 개선을 위한 새로운 ac PDP 계조구현 방법" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 41 (1): 1~8    
    8. 2004 "다결정 실리콘 박막 트랜지스터 Active Matrix OLED 디스플레이를 위한 이중 변조 구동" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 41 (10): 17~22    
    9. 2004 "SOG 디스플레이 시스템 구현을 위한 디지털 회로 기술 개요" 인포메이션 디스플레이 = Information display 5 (1): 19~24    
    10. 2005 "New Dynamic Logic Gate Design Method for Improved TFT Circuit Performance" Journal of information display 6 (1): 17~21    

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