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Modified Materka Model를 이용한 4H-SiC MESFET 대신호 모델링
4H-SiC MESFET Large Signal Modeling using Modified Materka Model

이수웅   (서강대학교 전자공학과UU0000674  ); 송남진   (서강대학교 전자공학과UU0000674  ); 범진욱   (서강대학교 전자공학과UU0000674  );
  • 초록

    Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 결과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8 V의 pinch off 전압과 $V_{GS}$ =0 V, < 0 V, $V_{DS}$ =25 V에 25 V에서 $I_{DSS}$ 270 mA/mm, $G_{m}$ =52.8 m 52.8 ms/mm를 얻을 수 있었고, 전력 특성 시뮬레이션을 통해 2GHz, $V_{GS}$ =-4V, < -4V, $V_{DS}$ =25 V에 25 V에서 10dB의 Gain과 34dBm(1 dB compression point)의 출력전력, 7.6W/mm의 전력밀도, 37%의 PAE(power added efficiency)를 얻을 수 있었다.다.


    4H-SiC(silicon carbide) MESFET large signal model was studied using modified Materka-Kacprzak large signal MESFET model. 4H-SiC MESFET device simulation have been conducted by Silvaco\`s 2D device simulator, ATLAS. The result is modeled using modified Materka large signal model. simulation and modeling results are -8 V pinch off voltage, under V $\_$ GS/=0 V, V $\_$ DS/=25 V conditions, I $\_$ DSS/=270 mA/mm, G $\_$ m/=52.8 ms/mm were obtained. Through the power simulation 2 GHz, at the bias of V $\_$ GS/-4 V md V $\_$ DS/=25 V, 10 dB Gain, 34 dBm (1dB compression point)output porter, 7.6 W/mm power density, 37% PAE(power added efficiency) were obtained.7.6 W/mm power density, 37% PAE(power added efficiency) were obtained.d.


  • 참고문헌 (10)

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    10. P. H. Ladbrooke , MMIC Design: GaAs FET’s and HEMT’s. / v.,pp.,

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