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표면 광전압을 이용한 ZnSe 에피층의 특성 연구
A study on characteristics of ZnSe epilayer by using surface photovoltage

최상수   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 정명랑   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 김주현   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 배인호   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 박성배   (대구대학교 물리학과UU0000355  );
  • 초록

    반절연성 GaAs 위에 분자선 에피택시(MBE)법으로 성장된 ZnSe 에피층의 특성을 표면 광전압(SPV)법을 이용하여 연구하였다. 측정으로는 증가하는 광세기 및 변조 주파수에 따라 시행하였다. 미분한 표면 광전압(DSPV) 신호로부터 ZnSe 에피층의 띠간 에너지는 결정되었다. 실온의 표면 광전압 신호로부터 5개의 준위들이 관측되었는데, 이러한 준위들은 성장시 계면에서 형성되는 불순물 및 결함과 관계된다. 관측된 준위들은 입사광 세기에 따른 외인성 전이의 경향을 보여주었다. 실온에서 관측되지 않은 1s와 2s 엑시톤 흡수와 관계된 신호가 80 K에서 측정한 표면 광전압 스펙트럼에서 두 개의 피크로 분리되어 나타났다. 변조 주파수 의존성으로부터 시료의 접합콘덕턴스 및 용량을 구하였다.


    We have investigated characteristics of ZnSe epilayer grown by molecular beam epitaxy(MBE) on semi-insulating(SI) GaAs by using surface photovoltage(SPV). The measurements of SPV were performed with illumination intensity and modulation frequency. The bandgap energy of ZnSe epilayer was determined from derivative surface photovoltage (DSPV). The five states were observed at room temperature(RT), and those states relate to the impurity and defect formed hetero-interface of ZnSe and GaAs during the sample growth. The observed states represented as a tendency of typical extrinsic transition on the increasing illumination intensity. The 1s and 2s signals related to the excitonic absorption were not observed at RT, but those were presented with the splitted of two peaks in the SPV at 80 K. From the modulation frequency dependence, we obtained the junction conductance and capacitance of the sample.


  • 참고문헌 (18)

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    1. 2000 "표면 광전압 방법에 의한 ${Al_{0.24}}{Ga_{0.76}}As/GaAs$ 다중 양자우물 구조의 광 흡수 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 10 (10): 698~702    
    2. 2001 "${In_{0.5}}({Ga_{1-x}}{Al_x})_{0.5}P$/GaAs 이중 이종접합 구조에 대한 표면 광전압 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 11 (8): 655~660    
    3. 2001 "$IN_{0.03}Ga_{0.97}AS/GaAs$에피층의 표면 광전압 특성에 관한 연구" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 10 (1): 81~86    
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