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화학적 기계 연마(CMP)에 의한 단결정 실리콘 층의 평탄 경면화에 관한 연구
Planarization & Polishing of single crystal Si layer by Chemical Mechanical Polishing

이재춘   (LG 실트론 연구소CC0175965  ); 홍진균   (LG 실트론 연구소CC0175965  ); 유학도   (LG 실트론 연구소CC0175965  );
  • 초록

    CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 반도체 소자 제조공정 중 다층 배선구조의 평탄 경면화에 널리 이용되고 있다. 차세대 웨이퍼로 각광받는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 제조공정 중 웨이퍼 표면 미소 거칠기를 개선하기 위해서 본 논문에서는 여러 가지 가공변수(슬러리와 연마패드)에 따른 CMP 연마능률과 표면 미소 거칠기 변화에 대해 연구하였다. 결과적으로 연마능률은 슬러리의 입자 크기가 증가할수록 이에 따라 증가하였으며, 미소 거칠기는 슬러리의 연마입자보다는 연마패드에 영향이 더욱 지배적이다. AFM(Atomic Force Microscope)에 의한 평가에서 표면 미소 거칠기가 27 $\AA$ Rms에서 0.64 $\AA$ Rms로 개선됨을 확인할 수 있었다.


    Recently, Chemical Mechanical Polishing(CMP) has become a leading planarization technique as a method for silicon wafer planarization that can meet the more stringent lithographic requirement of planarity for the future submicron device manufacturing. The SOI(Silicon On Insulator) wafer has received considerable attention as bulk-alternative wafer to improve the performance of semiconductor devices. In this paper, the objective of study is to investigate Material Removal Rate(MRR) and surface micro-roughness effects of slurry and pad in the CMP process. When particle size of slurry is increased, Material Removal rate increase. Surface micro-roughness is greater influenced by pad than by particle size of slurry. As a result of AM measurement, surface micro-roughness was improved from 27 $\AA$ Rms to 0.64 $\AA$ Rms.


  • 참고문헌 (15)

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 저자의 다른 논문

  • 홍진균 (1)

    1. 2001 "실리콘 웨이퍼 직접 접합에서 기포형 접합 결합에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 11 (3): 159~163    
  • 유학도 (6)

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