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트랜치 구조를 갖는 단락 애노드 SOI LIGBT
Trench Shorted Anode LIGBT on 501 Substrates

최승필   (서울대학 전기공학부 석사졸업UU0000691  ); 하민우   (서울대학 전기공학부UU0000691  ); 한민구   (서울대학 전기공학부UU0000691  ); 최연익   (아주대학 전자공학부UU0000892  );
  • 초록

    A trench shorted anode LIGBT (TSA-LIGBT) which decreases the device area and the forward voltage drop has been proposed and verified by 2D device simulations. The trench located in the shorted anode would form the shorted anode. The simulation results show that TSA-LIGBT decrease the device area by about 20% and the forward voltage drop by over 75% compared with the conventional ones. Also the troublesome negative differential resistance (NDR) regime has been eliminated successfully in the TSA-LIGBT.


  • 주제어

    SA-LIGBT .   NBR regime .   TSA-LIG.  

  • 참고문헌 (5)

    1. J. H. Chun, D. S. Byeon, M. K. Han and Y. I. Choi, 'A Fast-Switching SOI SA-LIGBT without NDR region', Proc. of 12th International Symposium On Power Semiconductor devices and ICs, 2000 
    2. Garter M. et al, 'Bistability and hysteresis in the characteristics of segmented-anode lateral IGBTs', IEEE Trans. Electron Devices, vol. 45, no. 7, 1998 
    3. B. H. Lee, J. H. Chun, M. K. Han and Y. I. Choi, 'A new gradual hole injection dual-gate LIGBT', IEEE Electron Device Letter, vol. 19, no. 12, 1998 
    4. M. R. Simpson, 'Analysis of negative differential resistance in the I_V characteristics of shorted-anode LIGBT', IEEE Trans. Electron Devices, vol. 38, no. 7, 1991 
    5. P. A. Gough, M. R. Simpson, and V. Rumenik, 'Fast switching lateral insulated gate transistor', IEDM Tech. Dig, 1986 

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  • 최승필 (3)

    1. 2004 "국내 폐기물소각시설 배출가스와 소각재, 환경 매질, 식품 및 인체에서 검출된 다이옥신 농도수준 및 이성질체 유형 특성" 환경독성학회지 = Journal of environmental toxicology 19 (1): 1~24    
    2. 2005 "화학물질 우선순위 선정 기법(CRS-Korea)의 개발과 적용" 환경독성학회지 = Journal of environmental toxicology 20 (2): 109~121    
    3. 2005 "개선된 화학물질 우선순위 선정 기법(CRS-Korea II)과 그 활용을 통한 지역별 유독물 우선순위의 도출" 환경독성학회지 = Journal of environmental toxicology 20 (4): 311~325    
  • 하민우 (5)

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