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저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성
Crystallographic Orientation Dependence Of Electrical Properties of Carbon-doped GaAs Grown by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using CBr4

손창식   (신라대학교 광전자공학과, 극초단광전자연구소UU0000867  );
  • 초록

    In order to elucidate the crystallographic orientation dependence of electrical properties of carbon (C)-doped GaAs epilayers, C incorporation into GaAs epilayers on high-index GaAs substrates with various crystallographic orientations from (100) to (111)A has been performed by a low pressure metalorganic chemical vapor deposition using C tetrabromide ( $CBt_4$ ) as a C source. The hole concentration of C-doped GaAs epilayers rapidly decreases with a hump at (311)A with increasing the offset angle. Although the growth temperature and the V/III ratio are varied, the crystallographic orientation dependence of hole concentration show a same trend. The above behaviors indicate that the bonding strength of As sites on a glowing surface plays an important role in the C incorporation into the high-index GaAs substrates.


  • 주제어

    Carbon .   Doping .   High-index GaAs .   MOCVD .   $CBr_4$.  

  • 참고문헌 (15)

    1. Carbon doping in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy , T. F. Kuech;J. M. Redwing , J. Crystal Growth / v.145,pp.382,
    2. High carbon doping efficiency of bromo-methanes in gas source molecular beam epitaxial growth of GaAs , T. J. de Lyon;N. I. Buchan;P. D. Kirchner;J. M. Woodall;G. J. Scilla;F. Cardone , Appl. Phys. Lett / v.58,pp.517,
    3. Structural analysis of low temperature processed Schottky contacts to n-GaAs , H. Lee , J. KIEEME / v.7,pp.533,
    4. Orientation dependent doping in organometallic chemical vapor deposition on nonplanar InP substrates: Application to dpuble-heterostructure lasers and lateral p-n junction arrays , R. Bhat;C. E. Zah;C. Caneau;M. A. Koza;S. G. Menocal;S. A. Schwarz;F. J. Favire , Appl. Phys. Lett / v.56,pp.1691,
    5. Orientation dependence of S, Zn, Te, and Sn doping in OMCVD growth of InP and GaAs: application to DH lasers and lateral p-n junction arrays grown on non-planar substrates , R. Bhat;C. Caneau;C. E. Zah;M. A. Koza;W. A. Bonner;D. M. Hwang;S. A. Schwarz;S. G. Menocal;F. J. Favire , J. Crystal Growth / v.107,pp.772,
    6. Surface photovoltage of Al0.3 Ga0.7 As/GaAs multi-quantum well structures , J. Lee;K. Kim;J. Son;I. Bae;I. Kim;S. B. Park , J. KIEEME / v.13,pp.21,
    7. Carbon doping of GaAs and (In,Ga)As in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide , K. Zhang;W. Y. Hwang;D. L. Miller;L. W. Kapitan , Appl. Phys. Lett / v.63,pp.2399,
    8. Characteristics of carbon doped InGaAs using carbontetrabromide by metalorganic molecular beam epitaxy , R. A. Hamm;S. Chandrasekhar;L. Lunardi;M. Geva , J. Crystal Growth / v.148,pp.1,
    9. Properties of carbon-doped InGaAs grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition using CCl₄ , C. S. Son;S. I. Kim;Y. Kim;M. S. Lee;M. S. Kim;S. K. Min;I. H. Choi , J. Crystal Growth / v.165,pp.222,
    10. Crystallographic orientation dependence of impurity incorporation into III-V compound semiconductors grown by metalorganic vapor phase epitaxy , M. Kondo;C. Anayams;N. Okada;H. Sekiguchi;K. Domen;T. Tanahashi , J. Appl. Phys. / v.76,pp.914,
    11. Growth of high-quality p-type GaAs epitaxial layers using carbon tetra-bromide by gas source molecular-beam epitaxy and molecular-beam epitaxy , Y. M. Houng;S. D. Lester;D. E. Mars;J. N. Miller , J. Vac. Sci. Technol. B / v.11,pp.915,
    12. One step metalorganic vapor phase epitaxy grown AlGaInP visible laser using simultaneous impurity doping , C. Anayama;H. Sekiguchi;M. Kondo;H. Sudo;T. Fukushima;A. Furuya;T. Tanahashi , Appl. Phys. Lett / v.63,pp.1736,
    13. Dependence of carbon incorporation on crystallographic orientation of GaAs and AlGaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition using CBr₄ , C. S. Son;S. I. Kim;Y. Kim;Y. K. Park;E. K. Kim;S. K. Min;I. H. Choi , J. Appl. Phys / v.82,pp.1205,
    14. Improved stability of C-doped GaAs grown by chemical beam epitaxy for heterojunction bipolar transistor , R. Driad;F. Alexandre;J. L. Benchimol;B. Jusserand;B. Sermage;M. Juhel;P. Launay , J. Crystal Growth / v.158,pp.210,
    15. A study on electrical and optical characteristics of InAs/GaAs self-organized quantum dots , K. Kim;C. Park;I. Bae;J. Son;B. Moon;J. Lee , J. KIEEME / v.14,pp.99,
         

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    10. 2011 "박막 태양전지용 투명 전극을 위한 Ga 도핑된 ZnO의 RF 전력에 따른 구조 및 전기 특성 변화" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 21 (4): 202~206    

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