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비정질 Sb-Bi-Te 박막의 전기적 특성에 관한 연구
A Study on the Electrical Properties of Amorphous Sb-Bi-Te Thin Films

이준신   (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부UU0000759  ); 이재형 ;    (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부   );
  • 초록

    Amorphous $Sb_{2-x}Bi_xTe_3$ (x = 0.0, 0.5 and 1.0) thin films were prepared by vacuum evaporation. The resistivity of 7he films decreases from 1.4{\times}10^{-2}$ to $8.84{\times}10^{-5}\Omega cm$ and the type of conductivity changes from p to n with the increase of the x value of the films. D.C. conduction studies on these films ate performed at various electric fields in the temperature range of 303-403 K. At low electric fields, two types of conduction mechanisms, i.e. the variable range hopping and the phonon assisted hopping are found to be responsible for the conduction, depending upon the temperature. The activation energy decreases from 0.082 to 0.076 eV in the temperature range of 303-363 K and from 0.47-0.456 eV in the second range of 363-403 K, indicating the shift of the Fermi level towards the conduction band edge and hence the change of the conduction from P to n type with the increase of the Bi concentration. Poole-Frankel emission dominates at high fields. The shape of the potential well of the localized centre is deduced and the mean free path of the charge carriers is also calculated.


  • 주제어

    Amorphous semiconductor .   Sb-Bi-Te system .   D.   C.   conduction .   Hall studies.  

  • 참고문헌 (11)

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 저자의 다른 논문

  • Yi, Jun-Sin (83)

    1. 1997 "Mobility Determination of Thin Film a-Si:H and poly-Si" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 6 (6): 483~490    
    2. 1997 "결정입계 처리에 따른 다결정 실리콘 태양전지의 효율 향상" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 10 (10): 1034~1040    
    3. 1997 "저가 지상전력을 위한 다결정 실리콘 태양전지 제작" 태양에너지 = Solar energy 17 (4): 3~11    
    4. 1998 "수소화된 비정질 규소박막의 결정화에 관한 연구" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 8 (2): 269~277    
    5. 1998 "태양광 발전의 국외현황" 전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers 11 (9): 9~18    
    6. 1998 "$CaF_2$ 박막의 전기적, 구조적 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (12): 1122~1127    
    7. 1999 "박막트랜지스터 게이트 절연막 응용을 위한 불화막 특성연구" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 48 (12): 755~760    
    8. 2000 "RTA처리한 PZT 박막의 강유전 특성" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 49 (4): 232~238    
    9. 2000 "Display 기술 Roadmap과 신기술 동향" 한국정보디스플레이학회지 1 (1): 24~34    
    10. 2001 "유리기판 위에 증착한 PZT 박막의 전기적 특성에 관한 연구" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 50 (1): 24~29    

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