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한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics v.13 no.3, 2002년, pp.204 - 208   피인용횟수: 1

상온 이온 보조 증착된 ITO 박막의 특성
Properties of indium tin oxide thin films prepared by ion assisted deposition at room temperature

이임영   (단국대학교 물리학과UU0000336  ); 최상대   (단국대학교 물리학과UU0000336  ); 이기암   (단국대학교 물리학과UU0000336  );
  • 초록

    본 논문에서는 ITO박막의 면저항과 투과율의 최적 상태를 얻기 위해 이온총에 주입된 Ar:O $_2$ 혼합비율과 이온빔 발산 각안으로 도입된 $O_2$ 에 따른 변화를 연구하였다. 기판은 이온빔 발산 각 외부에 위치시켰고, 박막은 상온에서 전자빔으로 증발시킨 ITO와 이온 mixing하여 제작하였다. XRD 측정 결과, 상온에서 제작된 ITO 박막은 모두 비정질이었다. 3 $\times$ $10^{-5}$ Torr의 산소 분위기에서 이온총에 주입된 Ar:O $_2$ 비율이 40:60일 때 85%로 가장 높은 투과율을 보였고, 1 $\times$ $10^{-5}$ Torr에서 Ar:O $_2$ 비율이 40:60일 때 132 $\Omega$ / $\square$ 의 가장 낮은 면 저항을 보였다.


    We investigate the dependence of indium tin oxide (ITO) thin films on the mixing ratio of Ar:O $_2$ produced by an ion-gun and $O_2$ injected inside the divergence angle of the ion-beam to optimize their sheet resistance and transmittance. The substrate is placed outside the divergence angle, and the films are grown by ion mixing with ITO evaporated at room temperature. From the XRD measurement ITO films are found to be amorphous. ITO thin films show the highest transmittance of 85% at 3 $\times$ 10 $^{-5}$ Torr of 0 $_2$ and Ae:O $_2$ ratio of 40:60, and the smallest sheet resistance of 132 $\Omega$ / $\square$ at 1 $\times$ 10 $^{-5}$ Torr of $O_2$ and As:O $_2$ ratio of 40:60.


  • 주제어

    ITO .   ion beam assisted deposition.  

  • 참고문헌 (14)

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    2. Large scale and low resistance ITO films formed at high deposition rates , K. Suzuki:N. Hashimoto;T. Oyama;J. Shimizu;Y. Akao;H. Kojima , Thin Solid Films / v.226,pp.104-109,
    3. Effects of surface compression strengthening on properties of indium tin oxide films deposited on automobile glass , D. Huang;F. C. Ho;R. R. Parsons , Appl. Opt. / v.35,pp.5080-5084,
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    8. Transparent Indium tin oxide films perpared by ion-assisted deposition with a single-layer overcoat , M. Gilo;R. Dahan;Nathan Croltoru , Opt. Eng. / v.38,pp.953-957,
    9. Preparation and Properties of transparent conducting Indium tin oxide Films Deposited by reactive Evaporation , H. L. Ma;D. H. Zhang;P. Ma;S. Z. Win;S. Y. Li , Thin Solid Films / v.263,pp.105-110,
    10. Electrical and Structural Properties of Tin-Doped Indium Oxide Films Deposited by DC Sputtering at Room Temperature , P. K. Song;Y. Shigesato;M. Kameil;I. Yasul , Jpn. J. Appl. Phys. / v.38,pp.2921-2927,
    11. J. L. Vossen , Physics of Thin Films / v.9,pp.,
    12. Room-temperature deposition of indium tin oxide thin films with plasma ion-assisted evaporation , S. Laux;N. Kaiser;A. Z ller;R. G tzelmann;H. Lauth;H. Bernitzki , Thin Solid Films. / v.335,pp.1-5,
    13. Optical and Electrical Properties of Sn-doped Indium Oxide Films Doposited on Polyester by Reative Evaporation , J. Ma;D. Zhang;S. Li;J. Zhao;H. Ma , Jpn. J. Appl. Phys. / v.37,pp.5614-5617,
    14. Electrochromic hydrated nickel oxide coatings for energy efficient windows:optical properties and coloration mechanism , J. S. E. M. Svensson;C. G. Granqvist , Appl. Phys. lett. / v.49,pp.1566-1569,
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Min, Chul-Hong ; Park, Sung-Jin ; Yoon, Neung-Goo ; Kim, Tae-Seon 2009. "Modeling of Indium Tin Oxide(ITO) Film Deposition Process using Neural Network" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 22(9): 741~746     

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