본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

0.2 ${\mu}m$ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구
Studies on the Fabrication of 0.2 ${\mu}m$Wide-Head T-Gate PHEMT′s

전병철   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 윤용순   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 박현창   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 박형무   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 이진구   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  );
  • 초록

    본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/㎜의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 ㎓에서 2.91 ㏈의 S/sub 21/ 이득과 11.42 ㏈의 MAG를 얻었으며, 전 이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 ㎓와 150 ㎓였다.


    n this paper, we have fabricated pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) with a 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ wide-head T-shaped gate using electron beam lithography by a dose split method. To make the T-shape gate with gate length of 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ and gate head size of 1.3 ${\mu}{\textrm}{m}$ we have used triple layer resist structure of PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA. The DC characteristics of PHEMT, which has 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ of gate length, 80 ${\mu}{\textrm}{m}$ of unit gate width and 4 gate fingers, are drain current density of 323 ㎃/mm and maximum transconductance 232 mS/mm at $V_{gs}$ = -1.2V -1.2V and $V_{ds}$ = 3V. Th 3V. The RF characteristics of the same device are 2.91㏈ of S21 gain and 11.42㏈ of MAG at 40GHz. The current gain cut-off frequency is 63GHz and maximum oscillation frequency is 150GHz, respectively.ively.


  • 참고문헌 (11)

    1. C. S. Wu, et. al., 'High efficiency Microwave Power AlGaAs/InGaAs PHEMT's Fabricated by Dry Etch Single Gate Recess', IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, No. 8, pp. 1419-1424, 1995 
    2. 이철욱, 배인호 외 5명, 'ECR 플라즈마와 습식식각으로 게이트 리세스한 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT 소자의 전기적 특성 연구', Journal of the Korean Institute of Electrical Material Engineerings, Vol. 11, No. 5, pp. 365-370, 1998 
    3. S. D. Lee, et al., 'Simulation and fabrication of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT for MMC's application at 35 GHz', IEEE TENCON, pp. 1117-1120, 1999 
    4. 이일형, 김성수, 윤관기, 김상명, 이진구, '열적 증착법을 이용한 Air-Bridge제작과 그 응용에 관한 연구,' 대한전자공학회 논문지, 제33권 A편, 제12호, pp. 53-57, 1996     
    5. Hyung-Sup Yoon, et al., 'Low Noise Characteristics of $0.2{\mu}m$ $0Al_{0.24}Ga_{0.67}As/In_{0.15}Ga_{0.85}As/GaAs$ Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-shaped Multifinger Gate', International Conference Solid State Devices and Materials, pp. 416-418, 1995 
    6. A Ketterson, M. Moloney, W. T Masselink, C. K. Peng, J. Klem, R. Fischer, W. Kopp, and Hadis Morkoc, 'High Transconductance InGaAs/AlGaAs Pseudomorphic Modulation-Doped Field-Effect Transistors,' IEEE Electron Device Lett., Vol. EDL-6, pp. 628-630, 1985 
    7. P. Mandeville, et. al., 'Growth and characteristics of double-heterojunction pseudomorphic MODFET', presentation at Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuit held in Europe(WOCSDICE 92), San Rafael, Spain 1992 
    8. 최상수, 이진희, 유형준, 유기수, 이상윤, 'PMMA/ P(MMA-MAA) 구조에서 T-gate 형성을 위한 전자빔 리소그래피 공정에 관한 연구', Korea Journal of Material Research, Vol. 5, No. 1, pp. 96-103, 1995     
    9. J. D Weiner, et. al., 'Fabrication and Performance of Sub-micron T-gate High-speed High Electron Mobility Transistor', Electrochemical Society Proceedings, Vol. 98-12, pp. 288-292, 1998 
    10. Jin-Hee Lee, et. al., 'Ultra Low Noise Characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic HEMT's with Wide Head T-shaped Gate', IEEE Electron Device Letters, Vol. 16, No. 6, pp. 271-273, 1995 
    11. [1] 전병철, 박덕수, 신재완, 양성환, 박현창, 이진구, '전자선 묘화를 이용한 $0.2{\mu}m$의 게이트 길이를 갖는 MMIC용 Wide-Head T-gate 제작,' 대한전자공학회 추계 종합학술대회 논문집, 제22권, 제2호, pp. 187-190, 1999 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. 2003. "Analysis of PHEMT's Characteristics by Gate Recesses" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, 40(9): 644~650     

 저자의 다른 논문

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기