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PHEMT Passivation을 위한 ${Si_3}{N_4}$
Studies on the deposition of ${Si_3}{N_4}$ for the passivation of PHEMT's

신재완   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 박현창   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 박형무   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  ); 이진구   (동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터UU0000452  );
  • 초록

    본 논문에서는 PECVD 장비를 이용하여 PHEMT 소자의 passivation 막으로 사용되는 Si₃N₄박막의 특성을 최적화하고, 0.25 ㎛급 PHEMT 제작에 적용하였다. 제작된 PHEMT(60 ㎛×2 fingers)의 소자 특성을 측정한 결과, passivation 후 드레인 포화전류와 최대 전달 컨덕턴스는 passivation 전보다 각각 2.7% 와 3%씩 증가하였으며, 전류이득 차단 주파수는 53 ㎓, 최대 공진 주파수는 105 ㎓ 였다.


    In this paper, high quality silicon nitride film is achieved using Plasma Enhanced Chemical Deposition(PECVD) system, and applied in passivating PHEMT's. Passivated PHEMT's(60 ${\mu}{\textrm}{m}$ $\times$ 2 fingers) showed an increase of 2.7 % and 3 % in the drain saturation current and the maximum transconductance, respectively. The current gain cut-off frequency of 53 ㎓ and maximum oscillation frequency of 105 ㎓ were obtained from the fabricated PHEMT's.


  • 참고문헌 (5)

    1. M. orfert, K. Richter, 'Plasma enhanced chemical vapor deposition of SiN film for passivation of three-dimensional substrates', Surface and Coatings Technology 116-119, pp. 622-628, 1999 
    2. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, John Wiley & Sons, 1981 
    3. Fazal Ali, Aditya Gupta, HEMTs and HBTs:Devices, Fabrication, and Circuits, Artech House, pp. 88-89, 1991 
    4. 신재완, 이복형, 이성대, 전병철, 이일형, 이진구, 'PECVD를 이용한 Si3N4박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용,' 1999년도 대한전자공학회 하계 종합학술대회 논문집, 제 22권, 1호, pp. 926-929, 1999 
    5. 이일형, 김성수, 윤관기, 김상명, 이진구, '열적 증착법을 이용한 Air-Bridge 제작과 그 응용에 관한 연구,' 대한전자공학회 논문지, 제32권,A편, 제12호, pp. 53-57, 1996     

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