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초절전형 Schottky barrier rectifier의 제조 및 그 특성
Fabrication and Characteristics of ultra power-saving Schottky barrier rectifier

김준식   (경북대학교 전자전기컴퓨터학부UU0000096  ); 최영호   (경북대학교 전자전기컴퓨터학부UU0000096  ); 박근영   (경북대학교 전자전기컴퓨터학부UU0000096  ); 최시영   (경북대학교 전자전기컴퓨터학부UU0000096  );
  • 초록

    일함수가 낮은 바나듐과 몰리브덴을 장벽금속으로 사용하여 초절전형 SBR을 제조하였다. 일함수가 낮은 장벽금속을 사용함으로서 나타나는 역방향 누설전류를 감소시키기 위해 n-Si층에 아르곤 이온을 1×10/sup 14/ ion/㎠, 40 keV로 주입하였다. 제조된 소자의 전기적 특성은 60 A/㎠의 동일한 전류밀도에서 Mo-SBR의 V/sub F/는 0.39 V이고 V-SBR은 0.25 V로서 매우 낮은 V/sub F/를 나타내었다. 이에 따라 아르곤 이온주입에 의해 제조된 Y-SBR의 역방향 누설전류는 일반적인 V-SBR과 비교하여 20㎂ 이상 감소됨을 확인할 수 있었다. 또한, 아르곤 이온주입으로 인한 소자의 특성저하는 나타나지 않았다.


    Ultra-power-saving SBR has been fabricated by using vanadium and molybdenum with low work function. Because reverse leakage current is increased in inverse proportion to work function, we implanted argon ion on the n-Si layer for decreasing leakage current. The dose and acceleration energy of the argon implantation in the silicon was 1 $\times$ 10 $^{14}$ ion/ $\textrm{cm}^2$ , 40 keV, respectively. The forward voltages drop of fabricated V-SBR and Mo-SBR were 0.25 V and 0.39 V at the same forward current density of 60 A/ $\textrm{cm}^2$ . As a result, it was found that the reverse leakage current of the fabricated V-SBR was reduced over 20 $mutextrm{A}$ by the argon implantation in comparison with the no implanted V-SBR. Also, owing to argon implantation, the inferiority of characteristic of the SBR was not detected.


  • 참고문헌 (11)

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    3. 안서일, 황의철, '공정능력지수표의 개발 및 그 응용,' Journal of the Korean Institute of Industrial Engineers, Vol. 11, No. 2, 1985 
    4. 고승곤, 황재문, 김응석, '공정능력지수의 실무 활용 지침,' 한국품질경영학회, Vol. 2, No. 1, pp. 23-33 
    5. Kwok, K. Ng, 'Complete guide to semiconductor devices,' McGrow-Hill, Inc, pp. 23-40, 1995 
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    7. J. S. Kim, H. H. Choi, H. S. Son, and S. Y. Choi, 'Schottky barrier rectifier with high current density using vanadium as barrier matal,' Applied Physics Letters, Vol. 79, No. 6, pp. 860-862, 2001 
    8. B. J. Baliga, 'Trends in power semiconductor devices,' IEEE Trans. Electron Devices, 43, 1717, 1996 
    9. S. M. Sze, 'Physics of Semiconductor Devices,' New-York: John Wiley & Sons, pp. 263-297, 1991 
    10. M. Mehrotra and B. J. Baliga, 'Very Low forward drop JBS rectifiers fabricated using submicron technology,' IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 40, pp. 2131-2132, 1993 
    11. J. M. Andrews and M. P. Lepselter, 'Reverse current-voltage characteristics of metal-silicide Schottky diodes,' Solid State Electron, Vol. 13, pp. 1011-1023, 1970 

 저자의 다른 논문

  • 김준식 (1)

    1. 1998 "공정개선을 통한 고전류이득 저포화전압 전력 트랜지서터의 성능향상" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (8): 8~14    
  • 박근영 (0)

  • Choi, Sie-Young (61)

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