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Transactions on electrical and electronic materials v.3 no.3, 2002년, pp.18 - 20   피인용횟수: 1

Anomalous Subthreshold Characteristics of Shallow Trench-Isolated Submicron NMOSFET with Capped p-TEOS/SiN

Lee, Hyung J.   (Department of Electronics Engineering, Andong National UniversityUU0000902  );
  • 초록

    In sub-l/4 ${\mu}{\textrm}{m}$ NMOSFET with STI (Shallow Trench Isolation), the anomalous hump phenomenon of subthreshold region, due to capped p-TEOS/SiN induced defect, is reported. The hump effect was significantly observed as channel length is reduced, which is completely different from previous reports. Channel boron dopant redistribution due to the defect should be considered to improve hump characteristics besides considerations of STI comer and recess. 130


  • 주제어

    MOSFET .   STI .   Hump .   Subthreshold.  

  • 참고문헌 (7)

    1. Yong-Jin Seo and Sang-Yong Kim, 'A study on New LDD structure for improvements of hot carrier celiability', J. of KIEEME(in Korean), Vol. 15, No. 1,P. 1, 2002 
    2. Seoung-Kyu Chang, 'Post-CMP cleaning using a single wafer megasonic cleaner', Bulletin of KIEEME(in Korean), Vol. 12, No. 10, p. 39, 1999 
    3. Sang-Yong Kim and Yong-Jin Seo, 'CMP slurry induction properties of silicate oxides deposited on Si wafer', J. ofKIEEME(in Korean), Vol. 13, No. 2, p. 131,2000 
    4. P. J. VanDerVoom and J. P. Krusius, 'Inversion channel edge in trench-isolated sub 1/4-/sp1 mu/m MOSFET's', IEEE ED, Vol. 43, No. 8, P. 1274, 1996 
    5. H. Mori, 'Analysis of isolation degradation induced by interlayer material in capacitor over bit-line DRAM cell', SSDM, A-12, p. 904, 1994 
    6. Richard B. Fair and Robert C. Sun, 'Threshold-voltage instability in MOSFET's due to channel hot-hole emission', IEEE ED, Vol. 28, No. 1, p. 83, 1981 
    7. D. K. Sadana 'Enhanced short-channel effects in NMOSFETs due to boron redistribution induced by as source and drain implant', IEDM, p. 849, 1992 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. 2004. "" Transactions on electrical and electronic materials, 5(5): 180~184     

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