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MEVVA ion Source And Filtered Thin-Film Deposition System

Liu, A.D.    (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Technology & Material Modification, Beijing Radiation Center Beijing Normal University   ); Zhang, H.X.   (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Technology & Material Modification, Beijing Radiation Center Beijing Normal UniversityUU0015412  ); Zhang, T.H.    (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Technology & Material Modification, Beijing Radiation Center Beijing Normal University   ); Zhang, X.Y.    (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Technology & Material Modification, Beijing Radiation Center Beijing Normal University   ); Wu, X.Y.    (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Technology & Material Modification, Beijing Radiation Center Beijing Normal University   ); Zhang, S.J.    (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, key Laboratory in University of Radiation Beam Tec  ); Li, Q.  
  • 초록

    Metal-vapor-vacuum-arc ion source is an ideal source for both high current metal ion implanter and high current plasma thin-film deposition systems. It uses the direct evaporation of metal from surface of cathode by vacuum arc to produce a very high flux of ion plasmas. The MEVVA ion source, the high-current metal-ion implanter and high-current magnetic-field-filtered plasma thin-film deposition systems developed in Beijing Normal University are introduced in this paper.


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