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Transactions on electrical and electronic materials v.4 no.2, 2003년, pp.15 - 19   피인용횟수: 1

A New EST with Dual Trench Gate Electrode (DTG-EST)

Kim, Dae-Won   (Department of Electrical Engineering, Korea UniversityUU0000159  ); Sung, Man-Young   (Department of Electrical Engineering, Korea UniversityUU0000159  ); Kang, Ey-Goo   (Department of Electronic Engineering, Far East UniversityUU0000291  );
  • 초록

    In this paper, the new dual trench gate Emitter Switched Thyristor (DTG-EST) is proposed for improving snap-back effect which leads to a lot of serious problems of device applications. Also the parasitic thyristor that is inherent in the conventional EST is completely eliminated in this structure, allowing higher maximum controllable current densities for ESTs. The conventional EST exhibits snap-back with the anode voltage and current density 2.73V and 35A/ $\textrm{cm}^2$ , respectively. But the proposed DTG-EST exhibits snap-back with the anode voltage and current density 0.96V and 100A/ $\textrm{cm}^2$ , respectively.


  • 주제어

    Dual trench gate .   EST .   Snap-back effect .   Parasitic thyristor .   FBSOA.  

  • 참고문헌 (10)

    1. E. G. Kang, S. H. Moon, and M. Y. Sung, 'New trench electrode IGBT having superior electhcal characteristics for power IC system', Microelectronics Journal, Vol. 32, No. 8, p. 641, 2001 
    2. E. G. Kang, S. H. Moon, and M. Y. Sung, 'Simulation of a new lateral trench IGBT employing effective p+ diverter for improving latch up characteristics', Microelectronics Journal, Vo1. 32, No.9, P.749, 2001 
    3. S. H. Moon, E. G. Kang, and M. Y. Sung, 'A latch up immunized lateral trench IGBT with p+ diverter structure for smart power IC', J. of KIEEME(inKorea), Vol. 14, No. 7, p. 546, 2001 
    4. E. G. Kang, S. H. Moon, and M. Y. Sung, 'LIGBT with dual cathode for improving breakdown charactehstics', Trans. on EEM, Vol. 1, No. 4, p. 16, 2000 
    5. E. G. Kang, S. H. Moon, and M. Y. Sung, 'Simulation of a novel lateral trench electrode IGBT with improved latch up and forward blocking characteristics', Trans. on EEM, Vol. 2, No. 1, p. 32, 2001 
    6. S. Sawant and B. J. Baliga, 'The new wide SOA DC EST structure with diode diverter' ISPSD99, p. 173, 1999 
    7. N. Iwamuro, M. S. Shekar, and B. j. Baligar, 'A study of ESTs short circuit SOA', Proc. ISPSD, P. 71, 1993 
    8. M. S. Shekar, B. J. Baligar, M. Nandakumar, S. Tandon, and A. Reisman, 'High voltage current saturation in emitter switched thyristors' IEEE Eletron Device Lett., Vol. 12, p. 227, 1991 
    9. B. J. Baligar, 'The MOS gated emitter switched thyristor', IEEE Electron Device Lett., Vol. 11, p. 75, 1990 
    10. N. Iwamuro, A. Okamoto, S. Tagumi, and H. Motoyama, 'Forward biased safe operating area of emitter switched thyhstor', IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 42, p. 334, 1995 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. 2004. "" Transactions on electrical and electronic materials, 5(4): 129~132     

 저자의 다른 논문

  • Kim, Dae-Won (2)

    1. 2002 "인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 15 (9): 758~763    
    2. 2004 "EST(Emitter Switched Thyristor) 소자의 트랜치 전극에 의한 특성 변화 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 17 (3): 259~266    
  • 성만영 (56)

  • Kang, Ey-Goo (64)

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