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고집적화된 1TC SONOS 플래시 메모리에 관한 연구
A Study on the High Integrated 1TC SONOS flash Memory

김주연   (울산과학대학 전기전자통신학부UU0001012  ); 김병철   (진주산업대학교 전자공학과UU0001591  ); 서광열   (광운대학교 반도체 및 신소재공학과UU0000194  );
  • 초록

    To realize a high integrated flash memory utilizing SONOS memory devices, the NOR type ITC(one Transistor Cell) SONOS flash arrays are fabricated and characterized. This SONOS flash arrays with the common source lines are designed and fabricated by conventional 0.35 $\mu\textrm{m}$ CMOS process. The thickness of ONO for memory cells is tunnel oxide of 34 ${\AA}$ , nitride of 73 ${\AA}$ and blocking oxide of 34 ${\AA}$ . To investigate operating characteristics, CHEI(Channel Hot Electron Injection) method and bit line method are selected as the program and 4he erase operation, respectively. The disturbance characteristics ,according to the program/erase/read cycling are also examined. The degradation characteristics are investigated and then the reliability of SONOS flash memory is guaranteed.


  • 주제어

    SONOS flash memory .   NOR type .   CHEI .   Disturbance .   Common Source line.  

  • 참고문헌 (10)

    1. William D. Brown , Nonviolation Semiconductor Memory Technology / v.,pp.1,
    2. Reliability performance of ETOX based flash memories , Gautam Verma;Neal Mielke , Proc. Int. reliability Phys. symp. / v.,pp.158,
    3. MONOS memory cell scalable to 0.1㎛ and beyond , Ichiro Fujiwara;Hiroshi Aozawa;Akihiro Nakamura;Yutaka Hayashi;Toshio Kobayashi , Non-Volatile Semiconductor memory workshop 13th-16th / v.,pp.117,
    4. 황현상;박근형 , 플레시 메모리 기술 / v.,pp.207,
    5. A low voltage SONOS nonvolatile semiconductor memory technology , White,M.H.;Yang,Y.L.;Purwar;A.French,M.L. , IEEE Trans. / v.20,pp.190,
    6. Comparison and trends in today's dominant E2 technologies , S.K.Lai;V.K.Dham , IEDM / v.,pp.580,
    7. EEPROM 기술의 현황과 전망 , 이상배;서광열 , 전기전자재료학회지 / v.7,pp.165,
         
    8. NOR 플래시 메모리를 위한 전하트랩형 NVSM 셀의 제작과 특성 , 김선주;김주연;김병철;서광열 , 전기전자재료학회지 / v.12,pp.999,
    9. SONOS EEPROM 소자에 관한 연구 , 서광열 , 전기전자재료학회지 / v.7,pp.123,
         
    10. A novel erasing technology for 3.3V flash memory with 64Mb capacity and beyond , K.Oyama;H.Shiral , IEDM / v.,pp.607,

 저자의 다른 논문

  • 김주연 (15)

    1. 2003 "SONOS 구조를 갖는 멀티 비트 소자의 프로그래밍 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 16 (9): 771~774    
    2. 2003 "이득 스위칭 방법을 이용한 V-자형 양자선 레이저의 초단 광펄스 생성에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 16 (9): 833~837    
    3. 2004 "An Investigation of Locally Trapped Charge Distribution using the Charge Pumping Method in the Two-bit SONOS Cell" Transactions on electrical and electronic materials 5 (4): 148~152    
    4. 2005 "CSL-NOR형 SONOS 플래시 메모리의 멀티비트 적용에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 18 (3): 193~198    
    5. 2005 "UV 검출기 제작을 위한 $8{\times}8$ ReadOut IC에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 42 (3): 45~50    
    6. 2006 "Realization of Two-bit Operation by Bulk-biased Programming Technique in SONOS NOR Array with Common Source Lines" Transactions on electrical and electronic materials 7 (4): 180~183    
    7. 2007 "테라비트급 나노 스케일 SONOS 플래시 메모리 제작 및 소자 특성 평가" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 20 (12): 1017~1021    
    8. 2009 "NAND 전하트랩 플래시메모리를 위한 p채널 SONOS 트랜지스터의 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 22 (1): 7~11    
    9. 2012 "4비트 SONOS 전하트랩 플래시메모리를 구현하기 위한 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 25 (6): 409~413    
    10. 2014 "Phase Change Memory와 Capacitor-Less DRAM을 사용한 Unified Dual-Gate Phase Change RAM" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 27 (2): 76~80    
  • 김병철 (10)

  • 서광열 (33)

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