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Eu 첨가에 따른 PZT 박막의 강유전 특성
Ferroelectirc Properties of Eu-doped PZT Thin Films

김창일   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  ); 손영훈   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  ); 김경태   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  ); 김동표   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  ); 이병기   (인천기능대학 전기계측제어과UU0001080  );
  • 초록

    Eu-doped lead zirconate titanate(Pb $_1.1$(Zr $_0.6$Ti $_0.4$)O $_3$ ; PZT) thin films on the Pt/Ti/SiO $_2$ /Si substrates prepared by a sol-gel method. The effect on structural and electrical properties of PZT thin films measured according to the Eu content. Eu-doping altered significantly dielectric and ferroelectric properties. The remanent polarization and the coercive field decreased with the increasing Eu content. The dielectric constant and the dielectric loss of PZT thin films decreased with the increasing Eu content. The 0.5 mol% of Eu-doped PZT thin film showed improved fatigue characteristic comparing to the undoped PZT thin film.


  • 주제어

    Ferroelectrics .   PZT thin film .   Dielectric properties .   Sol-gel .   Fatigue.  

  • 참고문헌 (11)

    1. Effect of neodymium (Nd) doping on the dielectric and ferroelectric characteristics of sol-gel derived lead zirconate titanate (53/47) thin films , S.B.Majumder;B.Roy;R.S.Katiyar , J. Appl. Phys. / v.90,pp.2975,
    2. Characteristic change due to polarization fatigue of sol-gel ferroelectric $Pb(Zr_{0.4}Ti_{0.6})O_{3}$ thin film capacitors , T.Mihara;H.Watanabe;C.A.Paz de Araujo , Jpn. J. Appl. Phys. / v.33,pp.5281,
    3. 졸-겔법으로 형성한 강유전체 PZT 박막의 고온 단시간 열처리 효과 및 전자 디바이스에의 응용 , 김광호 , 전기전자재료학회논문지 / v.7,pp.152,
         
    4. Effect of Er doping on structural and dielectric properties of sol-gel prepared PZT ceramics , S.R.Shannigrahi;R.N.P.Choudhary;H.N.Acharya , Mat. Res. Bulletin / v.34,pp.1875,
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    6. Characterization of secondary phases in lead zirconate titanate film surface deposited with excess lead content , G.S.Park;I.S.Chung , Jpn. J. Appl. Phys. / v.41,pp.1519,
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    8. 강유전체 YMnO₃박막 식각에 대한 CF₄첨가효과 , 박재화;김경태;김창일;장의구;이철인 , 전기전자재료학회논문지 / v.15,pp.314,
         
    9. MOD 법으로 제작된 $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_{3}O_{12}$ 박막의 강유전 특성 , 김경태;김창일;권지운;심일운 , 전기전자재료학회논문지 / v.15,pp.486,
         
    10. Effects of strontium substitution in Nb-doped PZT ceramics , H.Zheng;I.M.Reaney;W.E.Lee;N.Jones;H.Thomas , J. Euro. Cer. Soc. / v.21,pp.1371,
    11. Polarization fatigue characteristics of sol-gel ferroelectric $Pb(Zr_{0.4}Ti_{0.6})O_{3}$ thin film capacitors , T.Mihara;H.Watanabe;C.A.Paz de Araujo , Jpn. J. Appl. Phys. / v.33,pp.3996,

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    1. 1992 "Twin-tub CMOS공정으로 제작된 서브마이크로미터 n채널 및 p채널 MOSFET의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 (3): 320~327    
    2. 1993 "${N_2}O$ 가스로 열산화된 게이트 유전체의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (1): 55~62    
    3. 1993 "$N_2O$가스로 열산화된 게이트 산화막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (3): 269~275    
    4. 1994 "$N_2{O}$가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 (1): 25~31    
    5. 1998 "Al(Cu 1%) 플라트마 식각후 fluorine 처리에 의한 passivation 막 형성" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (1): 27~33    
    6. 1998 "Al(Cu 1%)막의 플라즈마 식각후 부식 억제를 위한 $SF_6$ 처리시 fluorine passivation 효과" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (3): 203~207    
    7. 1998 "Al 합금막의 식각후 $CHF_3$ 처리에 의한 부식억제 효과" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (7): 517~521    
    8. 1998 "ICP에 의한 $BCI_3/CI_2$플라즈마 내에서 Pt 박막의 식각 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (10): 804~808    
    9. 1998 "Chemical Mechanical Polishing (CMP) 공정을 이용한 Mutilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 11 (12): 1084~1090    
    10. 2000 "Ar/$CHF_34$플라즈마를 이용한 SBT 박막에 대한 식각 메카니즘 연구" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 13 (3): 183~187    
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