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AGC 기능을 갖춘 IMT-2000용 IQ 벡터 모듈레이터 설계
The Design of IQ Vector Modulator having AGC Function for IMT-2000

오인열   (광운대학교 전자공학과UU0000194  ); 박종화   (광운대학교 전자공학과UU0000194  ); 손광철   (광운대학교 전자공학과UU0000194  ); 김태웅   (광운대학교 전자공학과UU0000194  ); 전형준   (㈜삼성에스원  ); 나극환   (광운대학교 전자공학과UU0000194  );
  • 초록

    본 논문에서는 개방 단락 반사형 IQ 벡터 모듈레이터를 설계 제작하였다. 개방 단락 반사형은 구조의 특수성으로 인해 외부 회로의 첨가 없이 IQ 벡터 모듈레이터를 구현할 수 있다는 장점이 있다. 일반적으로 개방 및 단락의 반사구조로써 MESFET을 사용하여 구현되지만 이는 IQ 신호에 의해서 음 전압이 발생되어야 MESFET 를 동작시킬 수 있고, 이 때문에 IQ 신호에 대한 TTL 적용이 되어 동작케하기 위해서는 설계가 복잡해진다 반면 BJT특성의 구조적 변형으로 전자 이동도 특성이 향상된 HBT등의 소자가 등장하고 있고 높은 주파수에서도 문제없이 동작이 가능하도록 되었다. 이에 BJT 구조의 개방 단락 반사형 IQ 벡터 모듈레이터를 제안하고 제작하였으며, BJT 특성으로 인해 TTL 호환이 쉽다는 장점을 얻었다. 또한 AGC 기능을 갖도록 하기 위해 이득제어가 될 때 위상의 변화 없이 구현되도록 독립적으로 동작하는 가변 감쇠기를 적용하였다. 제작 결과 4사분면의 전체적으로 $\pm$ 1 $^{\circ}$ 의 위상차와 $\pm$ 0.6 dB의 진폭 차를 가지고 동작하며, 20 dB 가변범위 전체적으로는 위상에 영향을 주지 않으며 이득을 가변시킬 수 있는 설계의 결과를 이루었다. 또한 온도 변화량에 대해서도 $\pm$ 6 $^{\circ}$ 의 위상변화량과 $\pm$ 0.5 dB의 진폭 변화량만을 갖는 결과를 얻음으로써 온도 변화에 대한 특성도 만족함을 확인하였다.


    In thesis we applied the short or open reflection type for IQ vector modulator The open or short type is operated even exception of other redundancy circuit. Generally IQ vector modulator uses MESFET in performing reflection open or short, then minus voltage which is having complex structure is required to operate MESFET via IQ signal. However BJT can be substituted for MESFET, BJT is improved characteristics like as cutoff frequency, electron mobility and so on. We used BJT in IQ vector modulator which is compatible with TTL level in I,Q digital signal, and attached AGC function. We got the result of operations within ${\pm}$ 1 $^{\circ}$ phase and ${\pm}$ 0.6 dB amplitude Variation With full range of 20 dB and Variation of ${\pm}$ 6 $^{\circ}$ Phase and ${\pm}$ 0.5 dB amplitude Versus full temperature range.


  • 주제어

    IQ .   Vector .   Modulator .   Phase .   AGC.  

  • 참고문헌 (8)

    1. B. T. Henoch, P. Tamm, 'A $360^{\circ}$ reflection type diode phase modulator', IEEE Trans Microwave Theory Tech., vol. MTT-19 pp. 10 3-105, Jan. 1971 
    2. Alpha Industries, Inc., Design with PIN Diodes, Application Note, APNl002, 1999 
    3. Perter B. Kenington, High Linearity RF Amplifier Design, Artech House, Boston· London, 2000 
    4. Jean-Serge Cardinal, Fadhel M. Ghannouchi, 'A New Adaptive Double Envelope Feed back (ADEF) Linearizer for Solid State Power Amplifiers', IEEE Trans. Microwave Theory Tech; vol. 43, no. 7, pp. 1508-1515, July. 1995 
    5. 정용채 외 3 인, '벡터 감쇠기의 설계', 추계종합학 술발표회논문집(상), pp. 776-779, 1998년 1l월 
    6. J. I. Upshur, B. D. Geller, 'Low-loss 3600 X-bnad analog phase shifter', IEEE AflT-s Int. Microwave Symp. Dig., pp. 487-490, 1990 
    7. G. Hiller, 'Design with PIN diodes', RF Design. Mar./Apr. and May/June 1979 
    8. 윤현수 3 인, '$360^{\circ}$반사형 가변 위상 변환기설계'; 춘계 마이크로파 및 전파학술대회 논문집, 서울대학교, vol. 21 , no. 1, pp. 237-240, 1998년 5 월 

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  • 박종화 (4)

    1. 2000 "비정길 칼코게나이드 As-Ge-Se-S 박막에서 편광기록 재생" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 13 (9): 781~785    
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