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PAALD 방법을 이용한 TaN 박막의 구리확산방지막 특성
Characteristics of TaN Film as to Cu Barrier by PAALD Method

부성은   ((주)컴텍스CC0037296  ); 정우철   ((주)컴텍스CC0037296  ); 배남진   ((주)컴텍스CC0037296  ); 권용범   ((주)컴텍스CC0037296  ); 박세종   (경북대학교UU0000096  ); 이정희   (경북대학교UU0000096  );
  • 초록

    In this study, as Cu diffusion barrier, tantalum nitrides were successfully deposited on Si(100) substrate and $SiO_2$ by plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) and thermal ALD, using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and NH $_3$ as precursors. The TaN films were deposited at $250^{\circ}C$ by both method. The growth rates of TaN films were 0.8 ${\AA}$ /cycle for PAALD and 0.75 ${\AA}$ /cycle for thermal ALD. TaN films by PAALD showed good surface morphology and excellent step coverage for the trench with an aspect ratio of h/w -1.8:0.12 mm but TaN films by thermal ALD showed bad step coverage for the same trench. The density for PAALD TaN was 11g/cmand one for thermal ALD TaN was 8.3g/ $cm^3$ . TaN films had 3 atomic % carbon impurity and 4 atomic % oxygen impurity for PAALD and 12 atomic % carbon impurity and 9 atomic % oxygen impurity for thermal ALD. The barrier failure for Cu(200 nm)/TaN(10 nm)/ $SiO_2$ (85 nm)/ Si structure was shown at temperature above $700^{\circ}C$ by XRD, Cu etch pit analysis.


  • 주제어

    Diffusion barrier .   PAALD .   PEMAT .   impurity .   etch pit.  

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  • 부성은 (1)

    1. 2004 "ALD법을 이용해 증착된 TaN 박막의 Cu 확산방지 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 13 (3): 195~198    
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