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0.35$\mu{m}$ 싱글폴리 표준 CMOS 공정에서 제작된 아날로그 메모리 셀의 프로그래밍 특성
Characteristics of Programming on Analog Memory Cell Fabricated in a 0.35$\mu{m}$Single Poly Standard CMOS Process

채용웅   (계명대학 공대 전자공학과UU0000145  ); 정동진   (계명대학 공대 전자공학과UU0000145  );
  • 초록

    In this paper, we introduce the analog memory fabricated in a 0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$ single poly standard CMOS process. We measured the programming characteristics of the analog memory cell such as linearity, reliability etc. Finally, we found that the characteristics of the programming of the cell depend on the magnitude and the width of the programming pulse, and that the accuracy of the programming within 10mV is feasible under the optimal condition. In order to standardize the characteristics of the cell, we have investigated numbers of cells. Thus we have used a program named Labview and a data acquisition board to accumulate the data related to the programming characteristics automatically.


  • 주제어

    Labview .   Analog memory .   Single Poly EEPROM .   Resolution .   Programming.  

  • 참고문헌 (8)

    1. S. B. Lee and K. Y. Seo, 'Status and Trends in EEPROM Technologies,' The Journal of the korean Institude of Electrical and Electronic Material Engineers, Vol. 7, No.2, pp. 165-175, 1994     
    2. W. D. Brown and J E. Brewer. 'Nonvolatile Semiconductor Memory Technology: A Comprehensive Guide to Understanding and Using NVSM Devices', IEEE Press, pp, 6-9, 1998 
    3. K. Ohsaki, N. Asamoto and S. Takagaki, 'A Single Poly EEPROM Cell Structure for Use in Standard CMOS Processes,' IEEE J. Solid State circuit, Vol. 29, No.3, pp. 311-316. Mar. 1994 
    4. R. J McParland and R. Singh, '1.25V, Low Cost, Embedded Flash Memory for Low Density Applications,' 2000 symposium on VLSI circuits Digest of Technical paper. June 2000 
    5. M. Lenzlinger and E. H. Snow, 'Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown $SiO_2$,' J. Applied Physics, Vol. 40, No.6, pp. 278-283.5, Jan. 1969 
    6. R. Harrison, P. Hasler and B. A. Minch, 'FloatingGate CMOS Analog Memory Cell Array,' in Proc. Int. Symp. Circuits and Systems. Monterey, CA. 1998 
    7. R. Harrison, A. Bragg and P. Hasler, 'A CMOS Programmable Analog Memory-Cell Array Using Floating-Gate Circuits,' IEEE Trans. on circuits and systems, Vol. 48, No. 1, pp. 4-11, Jan. 2001 
    8. Y. Y. Chai, 'A $2{times}2$ Analog Memory Implemented with a Special Layout Injector,' IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 32, pp.856-859. June 1996 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Chai Yong-Yoong ; Yoon Kwang-Yeol 2006. "A Low Power Multi Level Oscillator Fabricated in $0.35{\mu}m$ Standard CMOS Process" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, 55(8): 399~403     

 저자의 다른 논문

  • 채용웅 (23)

    1. 1998 "유전체 박막을 이용한 다이아프램형 광섬유 Fabry-Perot 간섭계 압력센서의 특성" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 7 (3): 147~153    
    2. 1998 "부유게이트를 이용한 아날로그 어레이 설계" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. C c35 (10): 30~37    
    3. 1999 "광섬유 엔진 모니터용 압력센서를 위한 프로그램 가능한 고속 저전력 8 비트 아날로그/디지탈 변환기" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 8 (2): 163~170    
    4. 2001 "카오스 암호화 알고리즘을 이용한 웹 보안 시스템 설계 및 구현" 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part C Part C c8 (5): 585~596    
    5. 2001 "고속 적외선 광 송수신 IC 설계" 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스 26 (b12): 1695~1702    
    6. 2001 "부유게이트를 이용한 코어스 플레쉬 변환기 설계" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 38 (5): 367~373    
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    8. 2003 "Design of charge pump circuit for analog memory with single poly structure in sensor processing using neural networks" 센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society 12 (1): 51~56    
    9. 2006 "큰 규모의 불규칙 조면에 의한 전자파 전파 특성" 韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 17 (4): 393~399    
    10. 2011 "VCO를 이용한 차지펌프 설계" 한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences 6 (1): 118~122    

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