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Dual Gate Emitter Switched Thyristor의 Latch-up 전류 특성
Characteristics of Latch-up Current of the Dual Gate Emitter Switched Thyristor

이응래   (충북대학교 전기전자공학부UU0001309  ); 오정근   (충북대학교 전기전자공학UU0001309  ); 이형규   (충북대학교 전기전자공학UU0001309  ); 주병권   (한국과학기술연구원 마이크로시스CC0186926  ); 김남수   (충북대학교 전기전자공학부UU0001309  );
  • 초록

    Two dimensional MEDICI simulator is used to study the characteristics of latch-up current of Dual Gate Emitter Switched Thyristor. The simulation is done in terms of the current-voltage characteristics, latch-up current density, ON-voltage drop and electrical property with the variations of p-base impurity concentrations. Compared with the other power devices such as MOS Controlled Cascade Thyristor(MCCT), Conventional Emitter Switched Thyristor(C-EST) and Dual Channel Emitter Switched Thyristor(DC-EST), Dual Gate Emitter Switched Thyristor(DG-EST) shows to have the better electrical characteristics, which is the high latch-up current density and low forward voltage-drop. The proposed DG-EST which has a non-planer p-base structure under the floating $N^+$ emitter indicates to have the better characteristics of latch-up current and breakover voltage.


  • 주제어

    DG-EST .   Latch-up current .   ON-state voltage drop .   Non-planer p-base.  

  • 참고문헌 (12)

    1. MOS-Controlled Thyristors , V. A. K. Temple , IEDM Tech. dig. / v.,pp.282,
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    3. Characteristics of the Emitter Switched Thyristor , M. S. Shekar;B. J. Baliga;M. Nandakumar;S. Tandon;A. Reisman , IEEE Trans. Electron Devices / v.38,pp.1619,
    4. A new MOS-Gated Power Thyristor structure with turn-off achieved by controlling the base resistance , M. Nandakumar;B. J. Baliga;M. S. Shekar , IEEE Electron Devices Letts. / v.,pp.227,
    5. IGBT Mode Turn-off Thyristor(IGTT) Fabricated on SOI Substrate , Tsuneo Ogura;Akio Nakagawa , Proceeding of International electron Device meeting (IEDN) / v.,pp.241,
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    7. A new insulated-gate thyristor with turn-off achieved by controlling the base-resistance , J.S.Ajit , IEEE Electron Device Lett. / v.16,pp.411,
    8. The dual gate EST : a new MOS-gated thyristor structure , S. Sawant;S. Sridhar;B. J. Baliga , `96 ISPSD / v.,pp.125,
    9. A new concept for high voltage MCCT with no J-FET resistance by using a very thin wafer , N. Iwamuro;T. Iwaana;Y. Harada;Y. Onozawa;Y. Seki , Electron Devices Meeting Dig / v.,pp.351,
    10. B.J.Baliga , Power Semiconductor Devices / v.,pp.,
    11. 스냅-백 현상이 억제된 새로운 구조의 Emitter Switched Thyristor , 변대석;이병훈;한민구;최연익 , 전기학회논문지 / v.46,pp.1623,
    12. The dual gate emitter sitched thyristor (DG-EST) , S. Sridhar;B. J. Baliga , IEEE Electron Device Lett. / v.17,pp.25,

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  • 이응래 (1)

    1. 2005 "Dual Gate Emitter Switched Thyristor의 전기적 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 18 (5): 401~406    
  • 오정근 (2)

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  • Kim, Nam-Soo (21)

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