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Sol-gel 법으로 제작된 BST 박막의 Bi 첨가에 따른 구조적, 유전적 특성
Fabrication of BST Thin films with Bi Addition by Sol-gel Method and their Structural and Dielectric Properties

김경태   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  ); 김창일   (중앙대학교 전자전기공학부UU0001197  );
  • 초록

    An alkoxide-based sol-gel method was used to fabricate $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin films doped by Bi from 5 to 20 mol% on a Pt/Ti/ $SiO_2$ /Sisubstrate. The structural and dielectric properties of BST thin films were investigated as a function of Bi dopant concentration. The dielectric properties of the Bi doped BST films were strongly dependent on the Bi contents. The dielectric constant and dielectric loss of the films decreased with increasing Bi content. However, the leakage current density of the 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin film showed the lowest value of 5.13 $\times 10^{-7} A/{cm}^2$ at 5 V. The figure of merit (FOM) reached a maximum value of 32.42 at a 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}TiO_{3}$ thin films. The dielectric constant, loss factor, and tunability of the 10 mol% Bi doped $Ba_{0.6}Sr_{0.4}Tio_{3}$ thin films were 333, 0.0095, and 31.1%, respectively.


  • 주제어

    BST .   Sol-gel .   Thin Film .   Dielectric .   Phase shifter.  

  • 참고문헌 (17)

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    4. MOD 법으로 제조한강유전성 SBT 박막에서 하부전극이 유전 및 전기적 특성에 미치는 영향 , 김태훈;김병호;송석표 , 전기전자재료학회논문지 / v.13,pp.694,
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    8. 2003 "FRAM 기술 동향" 전기의 세계 = The proceedings of KIEE 52 (2): 23~28    
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    10. 2003 "유도결합 플라즈마를 이용한 PST 박막의 식각 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 16 (4): 286~291    
  • 김창일 (78)

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