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Hot-wall epitaxy법에 의한 CdTe 박막의 성장과 특성
Hot-wall epitaxial growth and characteristic of CdTe films

박효열   (울산과학대학 반도체응용과UU0001012  ); 조재혁   (부산대학교 물리학UU0000613  ); 진광수   (부산대학교 물리학UU0000613  ); 황영훈   (울산과학대학 반도체응용과UU0001012  );
  • 초록

    Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (III) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 $\AA/s$ 임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건은 원료물질 온도 $500^{\circ}C$ , 기판 온도 $320^{\circ}C$ 이었다.


    CdTe thin films were grown on GaAs (100) substrates by hot wall epitaxy method. From the XRD measurements, it was found that CdTe/GaAs (100) film was grown as a single crystals with the different from growth plane of (III), and growth rate of CdTe thin films was found to be 30 $\AA/sec$ by SEM. To acquire a high quality CdTe thin film, the optimum temperature for the source and substrate are found to be $500^{\circ}C$ and $320^{\circ}C$ , respectively, which was checked by PL.


  • 주제어

    CdTe .   How wall epitaxy .   XRD .   Photoluminescence .   Exciton.  

  • 참고문헌 (15)

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    14. High resolution electron microscope study of epitaxial CdTe-GaAs interfaces , N. Otsuka;L.A. Kolodziejski;R.L. Gunshor;S. Datta;R.N. Bicknell;J.F. Schetzina , Appl. Phys. Lett. / v.46,pp.860,
    15. Photoluminescence in CdTe grown on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition , C.H. Wang;K.Y. Cheng;S.J. Yang , Appl. Phys. Lett. / v.46,pp.962,

 저자의 다른 논문

  • 조재혁 (1)

    1. 2005 "타원 분광기를 이용한 CdTe/GaAs 박막의 복소 유전함수에 관한 연구" 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology 15 (4): 157~161    
  • 진광수 (4)

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