본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

SMPS용 전력소자가 내장된 PWM IC 설계에 관한 연구
The Study on the design of PWM IC with Power Device for SMPS application

임동주   (서경대학교 전자공학과UU0000678  ); 구용서   (서경대학교 전자공학과UU0000678  );
  • 초록

    본 연구에서는 Bi-DMOS 기술을 이용하여 SMPS용 고내압 스윗칭 전력소자 내장형 one-chip PWM IC를 설계하였다. 기준전압회로는 다양한 온도와 공급전압의 변화에도 일정한 전압(5V)을 발생시킬 수 있도록 설계하였고, 오차 증폭기의 경우, 높은 dc gain $({\simeq}65.7db)$ , unity frequency $({\simeq}189Khz)$ , 적절한 $PM({\simeq}76)$ 를 가지면서 높은 입력저항을 갖도록 설계하였다. 비교기는 2단 구성으로 설계를 하였고, 삼각파 발생회로 경우, 외부 저항과 캐패시터를 이용해서 발진 주파수(20K), output swing 폭(3.5V)을 갖는 삼각파를 발생시켰다. 스윗칭 파워소자는 SOI 기판을 사용하고, 확장 드레인 영역의 길이와 도핑 농도를 적절히 조정, 350V급 내압을 갖는 n-LDMOSFET을 설계 하였다. 최종적으로, layout은 각 소자에 대한 디자인 룰(2um 설계 룰)을 설정하였고, Bi-DMOS 공정 기술을 바탕으로 PWM IC 회로와 n-LDMOSFET one-chip IC를 설계하였다.


    In this study, we design the one-chip PWM IC with high voltage power switch (300V class LDMOSFET) for SMPS (Switching Mode Power Supply) application. Reference circuits generate constant voltage(5V) in the various of power supply and temperature condition. Error amp. is designed with large DC gain $({\simeq}65dB)$ , unity frequency $({\simeq}190kHz)$ and large $PM(75^{\circ})$ . comparator is designed with 2 stage. Saw tooth generators operate with 20kHz oscillation frequency. Also, we optimize drift concentration & drift length of n-LDMOSFET for design of high voltage switching device. It is shown that simulation results have the breakdown voltage of 350V. (using ISE-TCAD Simulation tool). PWM IC with power switching device is designed with 2um design rule and Bi-DMOS technology.


  • 참고문헌 (4)

    1. Analog Integrated Circuit Design , Johns, David A.;Martin, Ken , / v.,pp.317-321,
    2. Analysis and design of analog integrated circuits , Hurst, Gray;Meyer, Lewis , / v.,pp.299-327,
    3. high-voltage SOI Power IC Technology with non-RESURF n-LDMOSFET and RESURF p-LDMOSFET for PDP Scan-Driver Applications , Roh, Tae-Moon(et al.) , Journal of the Kore Physical Society / v.37,pp.889-892,
    4. CMOS circuit design, layout, and simulation , Jacob Baker, R.;Li, Harry W.;Boyce, David E. , / v.,pp.,

 저자의 다른 논문

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠
이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기