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$ZnS_{0.24}Se_{0.76}$의 photoreflectance 특성 연구
Study of the characteristic of $ZnS_{0.24}Se_{0.76}/GaAs$ heterostructure by photoreflectance

유재인   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 김동렬   (영남대학교 물리학과UU0000951  ); 이제훈   (한국기계연구원 레이저응용시스템그룹CC0007559  );
  • 초록

    In this research, we investigated the characteristic of $ZnS_{0.24}Se_{0.76}/GaAs$ heterostructure by using photoreflectance sprctroscopy(PR). The oscillations observed above the 1.43 eV range were attributed Franze-Keldysh effect. The interface electric filed of $GaAs/ZnS_{0.24}Se_{0.76}\;is\;2.153{\times}104\;V/cm$ .


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