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Photo reflectance Measurement in Si$_{3}$N$_{4}$/ Al$_{0.21}$Ga$_{0.79}$ As/GaAs Heterostructure

Yu Jae-In    (Department of Physics, Yeungnam University   ); Park Hun-Bo    (Department of Physics, Yeungnam University   ); Choi Sang-Su    (Department of Physics, Yeungnam University   ); Kim Ki-Hong    (Department of Physics, Yeungnam University   ); Baet In-Ho    (Department of Physics, Yeungnam University  );
  • 초록

    Photoreflectance (PR) has been measured to investigate the characterization of the Si $_{3}$ N $_{4}$ Al $_{0.21}$ Ga $_{0.79}$ As/GaAs and Al $_{0.21}$ Ga $_{0.79}$ As/GaAs heterostructures. In the PR spectrum, the caplayer thickness was 170 nm and Si $_{3}$ N $_{4}$ was utilized as the capping material. The C peak is confirmed as the carbon defect with residual impurity originating from the growth process. After annealing, in the presence of the Si $_{2}$ N $_{4}$ cap layer, band gap energy was low shifted. This result indicates that the Si $_{3}$ N $_{4}$ cap layer controlled evaporation of the As atom.


  • 참고문헌 (14)

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 저자의 다른 논문

  • Park Hun-Bo (1)

    1. 2005 "Investigation of $Al_{x}Ga_{1-x}As$/GaAs Heterostructure by Annealing at $300{\sim}800^{\circ}C$" KIEE international transactions on electrophysics and applications c5 (5): 214~216    

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