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Modified Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier

Moon Jin-Woo    (Process Development Group, Product Technology Team   ); Choi Yearn-Ik    (School of Electrical and Computer Engineering, College of Information Technology, Ajou University   ); Chung Sang-Koo    (Division of Computer, Electronic and Communication Engineering, Yangbian University of Science and Technology  );
  • 초록

    A trench MOS barrier Schottky (TMBS) rectifier is proposed which utilizes the upper half of the trench sidewall as an active area. The proposed structure improves the forward voltage drop by 20 $\%$ in comparison with the conventional one without degradation in breakdown voltage. An analytical model for the field distribution is given and compared with two-dimensional numerical simulations.


  • 주제어

    Schottky .   rectifier .   trench .   TMBS.  

  • 참고문헌 (4)

    1. M. Mehrotra and B. J. Baliga, 'Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier: a Schottky rectifier with higher than parallel plane breakdown voltage', Solid- State Electronics, vol. 38, no. 4, pp.801-806, 1995 
    2. Sang-Koo Chung and Seung-Youp Han, 'Analytical Model for the Surface Field Distribution of SOI RESURF Devices', IEEE Trans. Electron Devices, vol.45, no. 6, pp. 1374-1376, 1998 
    3. B. J. Lee, S. H. Kim, C. K. Kim, H. k. Shin and Y. S. Kwon, 'Interaction of a Pyridyl-Terminated Carbosiloxane Dendrimer with Metal Ions at the Air-Water Interface,' KIEE Int. Trans. On EA, Vol.3-C, No.6, pp. 216-219, 2003     
    4. T. Sakai, S. Matsumoto and T. Yachi, 'Experimental investigation of dependence of electrical characteristics on device parameters in trench MOS barrier Schottky diodes', in proceedings of the 8th International Symposium of Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD), pp. 293-296, Kyoto, Japan, 1998 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Kim, Byung-Soo ; Kim, Kwang-Soo 2013. "A 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier using the trapezoid mesa and the upper half of sidewall" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, 17(4): 428~433     

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  • 최연익 (20)

    1. 1987 "미래의 전력소자" 電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers 14 (4): 62~69    
    2. 1991 "80V BICMOS 소자의 공정개발에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a28 (10): 821~829    
    3. 1994 "SDB 웨이퍼를 사용한 쇼트키아이오드의 제작 및 특성" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (1): 71~76    
    4. 1994 "Field Limiting Ring 구조의 해석적 모델" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a31 (7): 95~101    
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    10. 1999 "분리된 단락 애노드를 이용한 수평형 SA-LIGBT 의 순방향 전류-전압 특성 연구" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 48 (3): 161~166    

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