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ETRI journal v.27 no.4, 2005년, pp.449 - 452   피인용횟수: 2

Radiation Effects on the Power MOSFET for Space Applications

Lho, Young-Hwan    (Department of Railroad Electricity and Information Communication, Woosong University   ); Kim, Ki-Yup    (Radiation Application Team, Korea Atomic Energy Research Institute  );
  • 초록

    The electrical characteristics of solid state devices such as the bipolar junction transistor (BJT), metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and other active devices are altered by impinging photon radiation and temperature in the space environment. In this paper, the threshold voltage, the breakdown voltage, and the on-resistance for two kinds of MOSFETs (200 V and 100 V of $V_{DSS}$ ) are tested for ${\gamma}-irradiation$ and compared with the electrical specifications under the pre- and post-irradiation low dose rates of 4.97 and 9.55 rad/s as well as at a maximum total dose of 30 krad. In our experiment, the ${\gamma}-radiation$ facility using a low dose, available at Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI), has been applied on two commercially available International Rectifier (IR) products, IRFP250 and IRF540.


  • 주제어

    Radiation effect .   MOSFET .   threshold voltage .   breakdown voltage .   dose rate .   total dose .   $\gamma-radiation$.  

  • 참고문헌 (7)

    1. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits , Ma, T.P.;Dressendorfer, Paul V. , / v.,pp.,
    2. 200 V N-Channel MOSFET, IRFP250 Datasheet , International Rectifier , / v.,pp.,
    3. Microelectronics , Milman, Jacob;Grabel, Arvin , / v.,pp.138-1987,
    4. On the Design of Field Limiting Ring for Improving Corner Breakdown Voltage , Lee, S.Y.;Lho, Y.H.;Kim, J.D. , Proc. PEMC ‘98 / v.,pp.41-44,
    5. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits , Gray, Paul R.;Meyer, Robert G. , / v.,pp.,
    6. Total Dose Effects in MOS Devices, Short Course III-47 , Schwank, Jim , IEEE Nuclear Space Radiation Effects Conf. / v.,pp.,
    7. A New SOI LDMOSFET Structure with a Trench in the Drift Region for a PDP Scan Driver IC , Son, Won-So;Kim, Sang-Gi;Sohn, Young-Ho;Choi, Sie-Young , ETRI J. / v.26,pp.,
  • 이 논문을 인용한 문헌 (2)

    1. 2010. "" International journal of aeronautical and space sciences, 11(3): 201~205     
    2. 2011. "" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, 15(2): 143~148     

 저자의 다른 논문

  • Kim, Ki-Yup (17)

    1. 1998 "Polytetrafluoroethylene의 열자격전류 특성에 미치는 $^{60}Co\;{\gamma}-$선 조사효과" 한국산업안전학회지 13 (4): 172~179    
    2. 2000 "트리 억제제 첨가에 의한 저밀도 폴리에틸렌의 내방사선성 향상" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 49 (8): 455~461    
    3. 2000 "방사선조사에 따른 저밀도 폴리에틸렌의 유전특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 13 (11): 938~942    
    4. 2003 "Radiation Effects on ${\gamma}$-Ray Irradiated Ethylene Propylene Rubber using Dielectric Analysis" KIEE international transactions on electrophysics and applications c3 (2): 48~54    
    5. 2003 "TGA를 이용한 가교폴리에틸렌의 방사선 열화 평가" 산업안전학회지 = Journal of the Korean Institute of Industrial Safety 18 (2): 50~55    
    6. 2003 "Acrylonitrile Butadiene Rubber의 열적 열화 특성" 산업안전학회지 = Journal of the Korean Institute of Industrial Safety 18 (4): 57~63    
    7. 2003 "$^{60}Co\;{\gamma}$-선 조사에 따른 클로프렌 고무의 열적 특성" 산업안전학회지 = Journal of the Korean Institute of Industrial Safety 18 (4): 64~70    
    8. 2004 "Polyvinylidene fluoride의 $^{60}Co$감마선 조사에 의한 구조 변화" 한국안전학회지 = Journal of the Korean Society of Safety 19 (3): 26~31    
    9. 2004 "열화에 따른 Polyetheretherketone의 유전완화특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 17 (4): 396~403    
    10. 2004 "클로로프렌 고무의 난연성 및 내방사선 특성 향상" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 17 (11): 1205~1211    

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