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ETRI journal v.27 no.2, 2005년, pp.188 - 194  

Laser Process Proximity Correction for Improvement of Critical Dimension Linearity on a Photomask

Park, Jong-Rak    (Department of Photonic Engineering, chosun University   ); Kim, Hyun-Su    (Department of Photonic Engineering, chosun University   ); Kim, Jin-Tae    (Department of Photonic Engineering, chosun University   ); Sung, Moon-Gyu    (Photomask Team, Samsung Electronics Co., Ltd.   ); Cho, Won-Il    (Photomask Team, Samsung Electronics Co., Ltd.   ); Choi, Ji-Hyun    (Photomask Team, Samsung Electronics Co., Ltd.   ); Choi, Sung-Woon    (Photomask Team, Samsung Electronics Co., Ltd.  );
  • 초록

    We report on the improvement of critical dimension (CD) linearity on a photomask by applying the concept of process proximity correction to a laser lithographic process used for the fabrication of photomasks. Rule-based laser process proximity correction (LPC) was performed using an automated optical proximity correction tool and we obtained dramatic improvement of CD linearity on a photomask. A study on model-based LPC was executed using a two-Gaussian kernel function and we extracted model parameters for the laser lithographic process by fitting the model-predicted CD linearity data with measured ones. Model-predicted bias values of isolated space (I/S), arrayed contact (A/C) and isolated contact (I/C) were in good agreement with those obtained by the nonlinear curve-fitting method used for the rule-based LPC.


  • 주제어

    Laser lithography .   photomask fabrication .   critical dimension linearity .   process proximity correction.  

  • 참고문헌 (11)

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