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Transactions on electrical and electronic materials v.7 no.4, 2006년, pp.180 - 183   피인용횟수: 1

Realization of Two-bit Operation by Bulk-biased Programming Technique in SONOS NOR Array with Common Source Lines

An, Ho-Myoung   (Department of Electronic Materials Enginering, Kwangwoon UniversityUU0000194  ); Seo, Kwang-Yell   (Department of Electronic Materials Enginering, Kwangwoon UniversityUU0000194  ); Kim, Joo-Yeon   (School of Electrical Engineering, Ulsan CollegeUU0001012  ); Kim, Byung-Cheul   (Department of Electronic Engineering, Jinju National UniversityUU0000228  );
  • 초록

    We report for the first time two-bit operational characteristics of a high-density NOR-type polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) array with common source line (CSL). An undesired disturbance, especially drain disturbance, in the NOR array with CSL comes from the two-bit-per-cell operation. To solve this problem, we propose an efficient bulk-biased programming technique. In this technique, a bulk bias is additionally applied to the substrate of memory cell for decreasing the electric field between nitride layer and drain region. The proposed programming technique shows free of drain disturbance characteristics. As a result, we have accomplished reliable two-bit SONOS array by employing the proposed programming technique.


  • 주제어

    SONOS NOR array .   Two-bit operation .   Disturbance .   Common source lines .   Bulk-biased programming technique.  

  • 참고문헌 (6)

    1. M. H. White, D. A. Adams, and J. Bu, 'On the go with SONOS', Circuits & Devices, p. 22, 2000 
    2. S. Minami and Y. Kamigaki, 'A novel MONOS nonvolatile memory device ensuring 10-year data retention after $10^{7}$ erase/write cycles', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 40, No. 11, p. 2011, 1993 
    3. M. H. White, Y. Yang, A. Purwar, and M. L. French, 'A low voltage SONOS nonvolatile semiconductor memory technology', IEEE Trans. Comp. Packag. Manufact. Technol. A, Vol. 20, No.2, p. 190, 1997 
    4. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi, 'Can NROM, a 2-bit, trapping storage NVM cell, give a real challenge to floating gate cells?', Proceedings of the International Conference on Solid State Devices and Materials, p. 522, 1999 
    5. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi, 'NROM: a novel localized trapping, 2bit nonvolatile memory cell', IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 21, No. 11, p. 543, 2000 
    6. I. Bloom, P. Pavan, and B. Eitan, '$NROM^{TM}$- a new non-volatile memory technology: from device to products', Microelectronic Engineering, Vol. 59, p. 213, 2001 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Kim, Byung-Cheul ; Kim, Joo-Yeon 2009. "The Characteristics of p-channel SONOS Transistor for the NAND Charge-trap Flash Memory" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 22(1): 7~11     

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    1. 1988 "MNOS 소자의 기억특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1 (3): 243~250    
    2. 1993 "비휘발성 EEPROM을 위한 SNOSFET 단위 셀의 어레이에 관한 연구" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 (1): 28~33    
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