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가변형 박막 유전체에 전극을 임베디드 시킨 고가 변형 커패시터
A High Tunable Capacitor Embedding Its Electrodes in Tunable Thin Film Dielectrics

이영철   (국립목포해양대학교 해양전자통신공학부UU0000560  ); 홍영표   (아주대학교 재료공학과UU0000892  ); 고경현   (아주대학교 재료공학과UU0000892  );
  • 초록

    본 논문에서는 가변형 $Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)$ Pyrochlore 박막을 이용한 고가변형 inter-digital capacitor를 제안하였다. 가장자리 전계 효과를 이용한 가변성의 향상과 DC 전압의 감소를 위해 inter-digital capacitor의 전극이 박막 내부에 삽입되었다. 2.5D simulator를 이용한 설계 결과, 제 안된 구조의 inter-digital capacitor(IDC)가 일반적인 구조의 IDC에 비해 가변성이 10 % 향상되었다. 제안된 IDC는 설계 결과를 바탕으로 실리콘 기판 위에 BZN 박막을 이용하여 제작되었다. BZN 박막은 reactive RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 증착되었다. 제작된 inter-digital capacitor는 5.8 GHz와 18 V의 DC 인가 전압에서 최대 가변율이 50 %였다.


    In this paper, a novel tunable inter-digital capacitor using dielectric tunable $Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)$ pyrochlore thin films is proposed. In order to improve the tunability and reduce DC bias voltage using the fringing electric field, the electrodes of the inter-digital capacitor are embedded in the thin film. Designed results using a 2.5 D simulator show that the tunability of the proposed inter-digital capacitor improves by 10 %, compared to the conventional inter-digital capacitor. The proposed IDC, which is based on the simulation results, was fabricated, using the BZN thin film deposited by a reactive RF magnetron sputtering on the on the silicon substrate. The fabricated inter-digital capacitor shows the maximum tunability of 50 % at 5.8 GHz and 18 V DC applied.


  • 주제어

    BZN Thin Film .   Tunable Inter-Digital Capacitor.  

  • 참고문헌 (10)

    1. Y. Yoshiaki et al., 'Reconfigurable RF circuit design for multi-band wireless chip', IEEE Asia-Pacific Conference on Advanced System Integrated Circuits, pp. 418-419, 2004 
    2. P. Andreani, S. Mattisson, 'On the use of MOS varactors in RF VCO's', IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35, no. 6, pp. 905-910, Jun. 2000 
    3. Kung-Hao Liang, Chien-Chih Ho, Chin-Wei Kuo, and Yi-Jen Chan, 'A 1.3-V 5-mW fully integrated tunable bandpass filter at 2.1 GHz in 0.35-_mCMOS', IEICE Transaction on Electron., vol. E88-C, no. 12, pp. 2372-2376, 2005 
    4. Altug Oz, K. F. Gary, 'RF CMOS-MEMS capacitor having large tuning range', IEEE International Conference on Solid State Sensors, Actuators and Microsystems, pp. 851-854, 2003 
    5. M. Rajarshi et al., 'Reconfigurable RFICs in sibased technologies for a compact intelligent RF front end', IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 53, no. 1, pp. 81-93, 2005 
    6. C. C. Hsiao, C. W. Kuo, and Y. J. Chan, 'Improved quality-factor of 0.18-_m CMOS active inductor by a feedback resistance design', IEEE Microw. Compon. Lett., vol. 12, no. 12, pp. 467-469, Dec. 2002 
    7. Ralf Kakerow et al., 'Reconfigurable receiver approch for 4G terminals and beyond', IEEE New CAS Conference, pp. 9-12, 2005 
    8. R. Mukhopadhyay et al., 'Reconfigurable RFICs for frequency-agile VCOs in Si-based technology for multi-standard applications', IEEE MTT-s International Microwave Symposium, pp. 1489-1492, 2004 
    9. Ali Tombak et al., 'Voltage-controlled RF filters employing thin-film barium-strontium-titanate tunable capacitors', IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 51, no. 2, pp. 462-467, 2003 
    10. Mossaab Ouaddari et al., 'Microwave characterization of ferroelectric thin-film materials', IEEE Trans. on MTT, vol. 53, no. 4, pp. 1390-1397, 2005 

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